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本发明属于半导体器件制备领域，更具体地，涉及一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法。本发明制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上依次沉积底部电极、阻变层和顶部电极，获得若干个单器件忆阻器；(2)对每个单器件忆阻器进行电预处理；(3)在衬底上沉积金...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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