一种三维存储器的形成方法及三维存储器技术

本申请实施例提供一种三维存储器的形成方法及三维存储器，其中，所述方法包括：形成位于衬底之上的介质层，其中，所述介质层内部形成有至少一个第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面；在所述介质层表面形成存储器阵列；在所述存储器阵列的外围，形成至少一个第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔的延伸方向垂直于所述第一刻蚀孔的延伸方向；在每一所述第一刻蚀孔和每一所述第二刻蚀孔中分别填充散热剂，对应形成第一散热管道和第二散热管道，以形成所述三维存储器。

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器的形成方法及三维存储器
本申请实施例涉及半导体
，涉及但不限于一种三维存储器的形成方法及三维存储器。
技术介绍
随着各类电子设备对集成度和数据存储密度需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维存储器应运而生。三维存储器包括存储器阵列以及用于控制往返于存储器阵列的信号的外围器件。目前常用三维存储器为三维相变存储器(ThreeDimensionalPhaseChangeMemory，3DPCM)，由于相变存储器是通过电加热的方式对相变材料进行热处理，通过相变材料的晶态或非晶态进行数据写入的，因此，存储器阵列内部会积聚大量的热量，导致存储器阵列内部环境温度升高，这将会影响相变存储器的数据保留或写入性能。因此，如何冷却存储器阵列并保持较低的环境温度是本领域的重要研究方向。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种三维存储器的形成方法及三维存储器。本申请的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种三维存储器的形成方法，包括：r>形成位于衬底之上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：/n形成位于衬底之上的介质层，其中，所述介质层内部形成有至少一个第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面；/n在所述介质层表面形成存储器阵列；/n在所述存储器阵列的外围，形成至少一个第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔的延伸方向垂直于所述第一刻蚀孔的延伸方向；/n在每一所述第一刻蚀孔和每一所述第二刻蚀孔中分别填充散热剂，对应形成第一散热管道和第二散热管道，以形成所述三维存储器。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
形成位于衬底之上的介质层，其中，所述介质层内部形成有至少一个第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面；
在所述介质层表面形成存储器阵列；
在所述存储器阵列的外围，形成至少一个第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔的延伸方向垂直于所述第一刻蚀孔的延伸方向；
在每一所述第一刻蚀孔和每一所述第二刻蚀孔中分别填充散热剂，对应形成第一散热管道和第二散热管道，以形成所述三维存储器。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述散热剂包括水或导热油。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一散热管道和所述第二散热管道的管道形状包括以下任意一种：直线型、L型、U型或蛇形；
当所述第一散热管道和所述第二散热管道为多个时，多个所述第一散热管道和多个所述第二散热管道分别均匀或非均匀地排布于所述介质层和所述存储器阵列的外围。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每一所述第一散热管道与至少一条所述第二散热管道连通，或，每一所述第一散热管道与每一所述第二散热管道相互独立；
当所述第一散热管道与所述第二散热管道连通时，所述第一散热管道和所述第二散热管道中填充有相同的所述散热剂；
当所述第一散热管道与所述第二散热管道相互独立时，所述第一散热管道和所述第二散热管道中填充有相同或不同的所述散热剂。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一散热管道和所述第二散热管道的横截面形状包括以下任意一种：椭圆形、圆形或任意多边形。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述存储器阵列的外围，形成至少一个第二刻蚀孔，包括：
形成包裹所述存储器阵列的外围绝缘层；
刻蚀所述外围绝缘层，形成位于所述外围绝缘层中的至少一个第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔的延伸方向平行于所述存储器阵列的生长方向。


7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在至少一个所述第一刻蚀孔或至少一个所述第二刻蚀孔中填充散热金属材料，以形成所述三维存储器，其中，所述散热金属材料至少包括金属钨。


8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述介质层表面形成存储器阵列，包括：
在所述介质层表面，形成多个沿第三方向依次堆叠的半导体堆叠结构；
在第一方向和/或第二方向上，对所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨红心，刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42