三维存储器件制造技术

本发明专利技术提供一种三维存储器件，包括：沿第一方向延伸的第一信号地址线层；沿第三方向叠置在所述第一信号地址线层之上且间隔设置的多个存储单元，每个所述存储单元包括沿所述第三方向叠置的选择层和相变存储层；其中，相邻所述存储单元的所述相变存储层不共层；沿所述第三方向叠置在所述存储单元之上的第二信号地址线层，所述第二信号地址线层沿第二方向延伸；所述第一方向、第二方向、以及第三方向相互垂直。本发明专利技术能有效改善热串扰现象，提高三维存储器件的性能稳定性和存储密度。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器件
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种三维存储器件。
技术介绍
相变存储器，简称PCM(phasechangememory)，相变存储器就是利用相变材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的，尤其可以基于电热方式对相变材料加热和淬火来利用相变材料中的非晶相和晶相的电阻率之间的差异。目前，由于三维存储架构能解决平面存储单元中的密度限制，故应用广泛。在三维PCM的单元结构(比如上部单元结构或下部单元结构)中，包括在纵向串联的存储单元和选择单元，存储单元通常位于选择单元上方，相邻两个单元结构沿横向间隔设置。这种结构的单元结构，由于相邻两个存储单元之间的间距比较近，故彼此间容易产生热串扰现象，影响相变存储器的稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种三维存储器件，能减少相邻存储单元之间的热串扰现象，提高相变存储器的稳定性。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种三维存储器件，包括：沿第一方向延伸的第一信号地址线层；沿第三方向叠置在所述第一信本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：/n沿第一方向延伸的第一信号地址线层；/n沿第三方向叠置在所述第一信号地址线层之上且间隔设置的多个存储单元，每个所述存储单元包括沿所述第三方向叠置的选择层和相变存储层；其中，相邻所述存储单元的所述相变存储层不共层；/n沿所述第三方向叠置在所述存储单元之上的第二信号地址线层，所述第二信号地址线层沿第二方向延伸；所述第一方向、第二方向、以及第三方向相互垂直。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：
沿第一方向延伸的第一信号地址线层；
沿第三方向叠置在所述第一信号地址线层之上且间隔设置的多个存储单元，每个所述存储单元包括沿所述第三方向叠置的选择层和相变存储层；其中，相邻所述存储单元的所述相变存储层不共层；
沿所述第三方向叠置在所述存储单元之上的第二信号地址线层，所述第二信号地址线层沿第二方向延伸；所述第一方向、第二方向、以及第三方向相互垂直。


2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述相邻所述存储单元的所述相变存储层不共层包括：在相邻所述存储单元中，其中一个所述存储单元中的所述相变存储层位于其对应的所述选择层之上，其另一个所述存储单元中的所述相变存储层位于其对应的所述选择层之下。


3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，所述存储单元还包括沿所述第三方向叠置的第一电极层、第二电极层、以及第三电极层；对应地，相邻所述存储单元的所述相变存储层不共层包括：在相邻所述存储单元中，其中一个所述存储单元中的所述相变存储层位于其对应的所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述选择层位于其对应的所述第二电极层和所述第三电极层之间，另一个所述存储单元中的所述相变存储层位于其对应的所述第二电极层和所述第三电极层之间，所述选择层位于其对应的所述第一电极层和所述第二电极层之间。


4.根据权利要求3所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层的制作材料包括非晶碳。


5.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42