存储器单元及其形成方法、存储器器件技术

本发明专利技术的各个实施例针对在底部电极处包括高电子亲和力介电层的存储器单元。高电子亲和力介电层是垂直堆叠在底部电极和底部电极上面的顶部电极之间的多个不同介电层中的一个。此外，高电极电子亲和力介电层在多个不同的介电层中具有最高的电子亲和力，并且最靠近底部电极。不同的介电层在材料系统和/或材料组分方面是不同的。应该理解，通过将高电子亲和力介电层布置成最靠近底部电极，至少在存储器单元是RRAM时，减小了在循环期间存储器单元被卡住的可能性。因此，降低了硬复位/故障位的可能性。本发明专利技术的实施例还涉及存储器单元及其形成方法、存储器器件。

【技术实现步骤摘要】
存储器单元及其形成方法、存储器器件
本专利技术的实施例涉及存储器单元及其形成方法、存储器器件。
技术介绍
许多现代电子器件包括非易失性存储器。非易失性存储器是能够在断电的情况下存储数据的电子存储器。下一代非易失性存储器的一些有前景的候选包括氧离子型电阻式随机存取存储器(RRAM)和金属离子型RRAM。两种类型的RRAM都具有相对简单的结构，并且与互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑制造工艺兼容。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种存储器单元，包括：底部电极；顶部电极，位于所述底部电极上面；以及介电堆叠件，包括堆叠在所述底部电极和所述顶部电极之间的多个介电层；其中，所述多个介电层包括第一介电层，并且所述第一介电层是所述多个介电层中最靠近所述底部电极的一个，并且在所述多个介电层中具有最高的电子亲和力。本专利技术的另一实施例提供了一种存储器器件，包括存储器单元，其中，所述存储器单元包括：底部电极；介电结构，位于所述底部电极上面，并且从顶部到底部包括多种不同的介电材料；以及顶部电极，位于所述介电结构上面；其中，所述多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器单元，包括：/n底部电极；/n顶部电极，位于所述底部电极上面；以及/n介电堆叠件，包括堆叠在所述底部电极和所述顶部电极之间的多个介电层；/n其中，所述多个介电层包括第一介电层，并且/n所述第一介电层是所述多个介电层中最靠近所述底部电极的一个，并且在所述多个介电层中具有最高的电子亲和力。/n

【技术特征摘要】
20191030 US 62/927,902;20200727 US 16/939,4971.一种存储器单元，包括：
底部电极；
顶部电极，位于所述底部电极上面；以及
介电堆叠件，包括堆叠在所述底部电极和所述顶部电极之间的多个介电层；
其中，所述多个介电层包括第一介电层，并且
所述第一介电层是所述多个介电层中最靠近所述底部电极的一个，并且在所述多个介电层中具有最高的电子亲和力。


2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述多个介电层包括位于所述第一介电层上面的第二介电层，并且其中，所述第二介电层具有与所述第一介电层不同的元素组。


3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述多个介电层包括位于所述第一介电层上面的第二介电层，并且其中，所述第二介电层具有与所述第一介电层相同的元素组，并且还具有与所述第一介电层不同的元素比例。


4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述介电堆叠件由两个介电层组成。


5.根据权利要求1所述的存储器单元，还包括：
覆盖层，位于所述介电堆叠件上面、位于所述介电堆叠件和所述顶部电极之间，其中，所述覆盖层具有比所述顶部电极和所述底部电极更高的对氧的亲和力。


6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述多个介电层包括第二介电层和第三介电层，并且其中，所述第二介电层位于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈朝阳，蔡竣扬，黄国钦，朱文定，吴承润，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71