【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造CEM器件的方法
本公开涉及用于制造相关电子材料(CEM)器件的方法以及通过该方法获得的CEM器件。
技术介绍
电子开关器件出现在多种电子设备类型中，诸如计算机、数码相机、蜂窝电话、平板设备、个人数字助理等，其中它们可以用作存储器和/或逻辑器件。设计者在考虑特定电子开关器件是否适合于这种功能时感兴趣的因素可以包括物理尺寸、存储密度、工作电压、阻抗范围和/或功耗。其他感兴趣的因素可以包括制造成本、制造容易度、可伸缩性和/或可靠性。似乎有朝向可以展现出较低功率和/或较高速度的存储器和/或逻辑器件的不断增长的驱动。包括相关电子材料的开关器件处于该驱动的最前沿，不仅因为它们可以展现出低功率和/或高速，而且还因为它们通常是可靠的并且容易且廉价地被制造。
技术实现思路
本公开描述了一种改进的CEM器件及其制造方法。CEM器件尤其可以是开关器件。CEM开关器件可以作为相关电子随机存取存储器(CERAM)应用于存储器和/或逻辑器件中，并且可以与各种电子电路类型一起使用，诸如存储器控制器、存储器阵列、滤...
【技术保护点】
1.一种制造相关电子材料器件的方法，所述方法包括形成导电衬底并在所述导电衬底上形成相关电子材料层，/n其中，形成所述相关电子材料层包括：/n形成富含金属的过渡金属化合物层或其他金属化合物层；以及/n在包含气态前驱体的气氛中对所述富含金属的过渡金属化合物层或其他金属化合物层进行退火，所述气态前驱体用于电子回捐外源配体，该电子回捐外源配体能占据过渡金属化合物或其他金属化合物中的阴离子空位；/n其中，所述退火使得所述过渡金属化合物或其他金属化合物内的阴离子空位被电子回捐外源配体占据；并且/n其中，所述退火在预定温度被进行预定时间，从而激活从过渡金属阳离子或其他金属阳离子向占据所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180807 US 16/057,5151.一种制造相关电子材料器件的方法，所述方法包括形成导电衬底并在所述导电衬底上形成相关电子材料层，
其中，形成所述相关电子材料层包括：
形成富含金属的过渡金属化合物层或其他金属化合物层；以及
在包含气态前驱体的气氛中对所述富含金属的过渡金属化合物层或其他金属化合物层进行退火，所述气态前驱体用于电子回捐外源配体，该电子回捐外源配体能占据过渡金属化合物或其他金属化合物中的阴离子空位；
其中，所述退火使得所述过渡金属化合物或其他金属化合物内的阴离子空位被电子回捐外源配体占据；并且
其中，所述退火在预定温度被进行预定时间，从而激活从过渡金属阳离子或其他金属阳离子向占据所述阴离子空位的所述电子回捐外源配体的电子回捐。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属化合物或其他金属化合物是具有通式MxO1-x或M1+xO2的非化学计量金属氧化物，其中M为碱土金属、镧系元素、过渡金属或后过渡金属。
3.根据权利要求1的方法，其中，所述过渡金属化合物或其他金属化合物是具有通式MxE1-x或M1+xE2的非化学计量金属硫族化物，其中M为碱土金属、镧系元素、过渡金属或后过渡金属，并且E是硫(S)、硒(Se)、碲(Te)和钋(Po)中的一种或多种。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其中，所述过渡金属化合物或其他金属化合物包括氧化镍(II)(NiO)、氧化铪(IV)(HfO2)和碲化铋(III)(Bi2Te3)中的一种或多种。
5.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中，所述电子回捐外源配体是羰基(CO)、亚硝酰基(NO)、异氰化物(RNC，其中R为H、C1-C6烷基或C6-C10-芳基)、烯烃(例如乙烯)、炔烃(例如乙炔)或膦，诸如三烷基膦或三芳基膦(R3P，其中R为H、C1-C6-烷基或C6-C10-芳基)，例如三乙基膦(PEt3)。
6.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中，所述预定温度是在300℃至600℃之间，更优选在350℃至500℃之间，并且最优选在350℃至450℃之间。
7.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中，所述退火被进行了30秒至60分钟之间的预定时间段。
8.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中，所述气态前驱体的预定分压是在0.5MPa至1.5MPa之间。
9.根据任一项前述权利要求所述的方法，进一步包括在所述相关电子材料层上或上方形成导电覆盖层。
10.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中，所述相关电子材料层的形成为所述相关电子材料提供小于90nm2的面积大小。
11.根据任一项前述...
【专利技术属性】
技术研发人员：卡洛斯·阿尔贝托·巴斯德阿劳乔，乔兰塔·博兹纳·塞林斯卡，卢西安·希夫伦，
申请(专利权)人：切尔费实验室公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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