一种In制造技术

本发明专利技术公开了一种In

【技术实现步骤摘要】
一种In2S3掺杂Sb相变薄膜材料及其制备方法
本专利技术属于微电子
，尤其是涉及一种In2S3掺杂Sb相变薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
近年来，数字和智能时代的到来对计算任务的复杂性和应用场景的可变性提出了更高的要求，例如云量吞吐，阿秒计算，无限逼近零功耗。这给现有存储技术的存储容量带来了更多紧迫的挑战，所以存储器的研究一直朝着高速、高密度、低功耗、高可靠性的方向发展。其中3DX-point相变存储器（PCM）凭借其简单的3D堆叠结构实现了超快操作速度，超低功耗等优异性能而成为替代传统相变存储器最有效、最有前途的非易失性存储器。此种三维堆叠的存储器是由存储单元（OMS）和开关单元（OTS）相互堆叠而成的。其不仅需要一种存储密度高的存储单元，并且还需要有一种性能很好的选通器件来对存储单元进行选通。OMS是利用合适光/电脉冲加热相变材料实现其在非晶和多晶之间的可逆相变来实现信息的写入与擦除。OTS选通器也是利用电学信号来控制选通器件的开关，当施加电学信号于选通器件单元并超过阈值电压时，材料由高阻态向低阻态转变，此时器件出于开启状态；当撤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种In

【技术特征摘要】
1.一种In2S3掺杂Sb相变薄膜材料，其特征在于：该相变薄膜材料是由铟，硫，锑三种元素组成的混合物。


2.根据权利要求1所述的一种In2S3掺杂Sb相变薄膜材料，其特征在于：所述的相变薄膜材料的化学结构式为(In2S3)xSb100-x，其中0<x<89.6at%。


3.根据权利要求2所述的一种In2S3掺杂Sb相变薄膜材料，其特征在于：所述的相变薄膜材料的化学结构式为(In2S3)46.7Sb53.3。


4.根据权利要求2所述的一种In2S3掺杂Sb相变薄膜材料，其特征在于：所述的相变薄膜材料的化学结构式为(In2S3)69.1Sb30.9。


5.一种权利要求1所述的In2S3掺杂Sb相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于：利用磁控溅射镀膜系统，采用双靶共溅射方法制备获得，具体包括下述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国祥，刘芬，沈祥，陈益敏，施海舟，陈琛，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33