一种形成类似钙钛矿材料的薄膜的方法技术

为了提高半导体膜的质量，减少成品的剔除，其参数不能满足形成类钙钛矿材料的半导体膜的方法中的既定要求，类钙钛矿材料层或将预定厚度的类钙钛矿材料的前体沉积在基板上，然后沉积一卤素层直到该层液化，然后将卤素从基板上逐渐去除，直到完全去除为止，从而确保了类钙钛矿材料在基板上的逐渐结晶，形成比原始膜中类钙钛矿材料颗粒大的类钙钛矿材料颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种形成类似钙钛矿材料的薄膜的方法
本专利技术涉及形成半导体层的方法，并且可以用于对半导体材料的膜进行后处理，以便在制造光电转换器时改善结晶度，改善光吸收层的电和光电特性。背景从现有技术中已知各种后处理化合物ABX3薄膜的方法，其中A代表CH3NH3+或(NH2)2CH+或C(NH2)3+或Cs+或Rb+或它们的混合物，B＝Sn2+或Pb2+，或它们的混合物，特别是在添加Bi和Cu的情况下，或组分X可以作为卤离子(Cl-或Br-或I-或它们的混合物)起作用。更一般地，其他阳离子也可以充当组分A和B，以使它们的总电荷等于+3，并平衡阴离子的电荷。最常见的后处理方法是在100-120℃的温度范围内进行退火，有时还包括在120℃以上的温度下进行短期高温退火。文章[萨利巴，米歇尔等人，“热处理方案对有机-无机三卤化铅钙钛矿的结晶和光伏性能的影响(Influenceofthermalprocessingprotocoluponthecrystallizationandphotovoltaicperformanceoforganic–i本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成类钙钛矿材料的半导体膜的方法，其特征在于，将预定厚度的类钙钛矿材料层沉积在基板上并暴露于卤素直至该层部分液化，然后将卤素逐渐从基板中除去，确保类钙钛矿材料在基板上逐渐结晶，形成类钙钛矿材料的晶粒，该晶粒的尺寸大于初始层中类钙钛矿材料的晶粒的尺寸。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180920 RU 20181334081.一种形成类钙钛矿材料的半导体膜的方法，其特征在于，将预定厚度的类钙钛矿材料层沉积在基板上并暴露于卤素直至该层部分液化，然后将卤素逐渐从基板中除去，确保类钙钛矿材料在基板上逐渐结晶，形成类钙钛矿材料的晶粒，该晶粒的尺寸大于初始层中类钙钛矿材料的晶粒的尺寸。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述类钙钛矿材料层以所述类钙钛矿材料的前体的形式制成，所述前体除了期望的类钙钛矿材料的成分之外还包含其他化学成分。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前体包含溶剂分子。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料层的化学组成为ABX3，其中，CH3NH3+或(NH2)2CH+或C(NH2)3+或Cs+或Rb+阳离子或其混合物中的至少一种用作组分A，元素Pb，Sn，Bi，Cu，Ge，Ca，Sr，Ti或它们的混合物中的至少一种用作组分B，使用卤素Cl-或Br-或I-或其混合物中的至少一种作为组分X。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待处理的膜在元素组合物中包含ABX3化合物的组分。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调节从所述基板去除卤素的速率。

【专利技术属性】
技术研发人员：E·A·古地林，A·B·塔拉瑟夫，A·Y·格里什科，Y·M·芬克伯格，
申请(专利权)人：克拉斯诺亚尔斯克水力发电厂股份公司，
类型：发明
国别省市：俄罗斯;RU