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为了提高半导体膜的质量，减少成品的剔除，其参数不能满足形成类钙钛矿材料的半导体膜的方法中的既定要求，类钙钛矿材料层或将预定厚度的类钙钛矿材料的前体沉积在基板上，然后沉积一卤素层直到该层液化，然后将卤素从基板上逐渐去除，直到完全去除为止，从而...
该专利属于克拉斯诺亚尔斯克水力发电厂股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过克拉斯诺亚尔斯克水力发电厂股份公司授权不得商用。

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