下载存储器单元及其形成方法、存储器器件的技术资料

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本发明的各个实施例针对在底部电极处包括高电子亲和力介电层的存储器单元。高电子亲和力介电层是垂直堆叠在底部电极和底部电极上面的顶部电极之间的多个不同介电层中的一个。此外,高电极电子亲和力介电层在多个不同的介电层中具有最高的电子亲和力,并且最靠...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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