带有屏蔽栅结构的IGBT器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种带有屏蔽栅结构的IGBT器件，在第二导电类型集电极上设置第一导电类型缓冲层、第一导电类型衬底、第二导电类型体区与第一导电类型发射极，在第一导电类型发射极上开设有沟槽，在沟槽内设置屏蔽栅氧化层、栅极导电多晶硅、屏蔽栅多晶硅、屏蔽栅盖板与栅极氧化层，屏蔽栅多晶硅呈间隔地设置在栅极导电多晶硅的下方，在第一导电类型发射极、栅极氧化层与栅极导电多晶硅上设置绝缘介质层，在绝缘介质层上设置发射极金属，发射极金属通过通孔与第二导电类型体区以及第一导电类型发射极欧姆接触。本实用新型专利技术可调节器件的电场分布，降低IGBT的阈值、导通电阻和密勒电容，提高开关速度，降低开关损耗，同时还可以增强短路能力。

【技术实现步骤摘要】
带有屏蔽栅结构的IGBT器件
本技术属于微电子
，具体地说是一种带有屏蔽栅结构的IGBT器件。
技术介绍
目前的IGBT器件结构如图8所示，它包括第二导电类型集电极1、第一导电类型缓冲层2、第一导电类型衬底3、第二导电类型体区4、第一导电类型发射极5、绝缘介质层6、发射极金属7、栅氧化层8与栅极导电多晶硅9。它在第二导电类型集电极1上设置第一导电类型缓冲层2，在第一导电类型缓冲层2上设置第一导电类型衬底3，在第一导电类型衬底3上设置第二导电类型体区4，在第二导电类型体区4上设置第一导电类型发射极5，在第一导电类型发射极5上开设有沟槽，沟槽向下第一导电类型发射极5与第二导电类型体区4并最终进入第一导电类型衬底3内，在沟槽内设置栅氧化层8，在栅氧化层8内设置栅极导电多晶硅9，在第一导电类型发射极5、栅氧化层8与栅极导电多晶硅9上设置绝缘介质层6，在绝缘介质层6上设置发射极金属7，发射极金属7通过通孔与第二导电类型体区4以及第一导电类型发射极5欧姆接触。这种IGBT器件开关速度较慢、开关损耗较大且短路能力较弱。>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种带有屏蔽栅结构的IGBT器件，其特征是：它包括第二导电类型集电极（1）、第一导电类型缓冲层（2）、第一导电类型衬底（3）、第二导电类型体区（4）、第一导电类型发射极（5）、绝缘介质层（6）、发射极金属（7）、屏蔽栅氧化层（8）、栅极导电多晶硅（9）、屏蔽栅多晶硅（10）、屏蔽栅盖板（11）与栅极氧化层（12）；/n在第二导电类型集电极（1）上设置第一导电类型缓冲层（2），在第一导电类型缓冲层（2）上设置第一导电类型衬底（3），在第一导电类型衬底（3）上设置第二导电类型体区（4），在第二导电类型体区（4）上设置第一导电类型发射极（5），在第一导电类型发射极（5）上开设有沟槽，沟槽向下第一...

【技术特征摘要】
1.一种带有屏蔽栅结构的IGBT器件，其特征是：它包括第二导电类型集电极（1）、第一导电类型缓冲层（2）、第一导电类型衬底（3）、第二导电类型体区（4）、第一导电类型发射极（5）、绝缘介质层（6）、发射极金属（7）、屏蔽栅氧化层（8）、栅极导电多晶硅（9）、屏蔽栅多晶硅（10）、屏蔽栅盖板（11）与栅极氧化层（12）；
在第二导电类型集电极（1）上设置第一导电类型缓冲层（2），在第一导电类型缓冲层（2）上设置第一导电类型衬底（3），在第一导电类型衬底（3）上设置第二导电类型体区（4），在第二导电类型体区（4）上设置第一导电类型发射极（5），在第一导电类型发射极（5）上开设有沟槽，沟槽向下第一导电类型发射极（5）与第二导电类型体区（4）并最终进入第一导电类型衬底（3）内，在沟槽的下段内设置屏蔽栅氧化层（8），在屏蔽栅氧化层（8）内设置屏蔽栅多晶硅（10），在屏蔽栅多晶硅（10）上设置屏蔽栅盖板（11），在沟槽的上段内设置栅极氧化层（12），在栅极氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖巍，张海涛，
申请(专利权)人：无锡紫光微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32