一种IGBT器件制造技术

本发明专利技术实施例提供的一种IGBT器件，包括MOSFET单元阵列，每个MOSFET单元包括：位于n型漂移区顶部的p型体区，位于p型体区内的n型发射极区，位于p型体区之上栅介质层、栅极和n型浮栅，栅极位于栅介质层之上且靠近n型发射极区的一侧，n型浮栅位于栅介质层之上且靠近n型漂移区的一侧，栅极通过电容耦合作用于n型浮栅；至少有一个MOSFET单元的n型浮栅通过栅介质层与p型体区隔离，且至少有一个MOSFET单元的n型浮栅通过一个位于该n型浮栅下方的栅介质层中的开口与p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明专利技术可以方便的调节IGBT器件的反向恢复速度。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT器件
本专利技术属于IGBT器件
，特别是涉及一种反向恢复速度可调的IGBT器件。
技术介绍
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件是由MOS晶体管和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOS晶体管，输出极为PNP晶体管。现有技术的IGBT器件的导通和关断由栅极-发射极电压控制，当栅极-发射极电压大于MOS晶体管的阈值电压Vth时，MOS晶体管内部形成电流沟道并为双极性晶体管提供基极电流，使得IGBT器件导通。当栅极-发射极电压小于MOS晶体管的阈值电压Vth时，MOS晶体管内的电流沟道会被关断，双极性晶体管的基极电流被切断，从而IGBT器件被关断。现有技术的IGBT器件在关断时，当集电极-发射极电压小于0V时，IGBT器件中寄生的体二极管处于正偏压状态，反向电流从发射极经体二极管流至集电极，此时体二极管的电流存在注入少子载流子现象，而这些少子载流子在IGBT器件再一次开启时进行反向恢复，导致较大的反向恢复电流，反向恢复时间长。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种反向恢复速度可调的IGBT本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：/nn型集电极区和p型集电极区，位于所述n型集电极区和所述p型集电极区之上的n型漂移区，以及由多个MOSFET单元组成的MOSFET单元阵列，所述MOSFET单元包括：/n位于所述n型漂移区顶部的p型体区，位于所述p型体区内的n型发射极区，位于所述p型体区之上的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、栅极和n型浮栅，所述栅极和所述n型浮栅位于所述栅介质层之上，且所述栅极位于靠近所述n型发射极区的一侧，所述n型浮栅位于靠近所述n型漂移区的一侧，所述栅极通过电容耦合作用于所述n型浮栅；/n在所述MOSFET单元阵列中，至少有一个所述MOSFET单元的所述n型浮栅...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：
n型集电极区和p型集电极区，位于所述n型集电极区和所述p型集电极区之上的n型漂移区，以及由多个MOSFET单元组成的MOSFET单元阵列，所述MOSFET单元包括：
位于所述n型漂移区顶部的p型体区，位于所述p型体区内的n型发射极区，位于所述p型体区之上的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、栅极和n型浮栅，所述栅极和所述n型浮栅位于所述栅介质层之上，且所述栅极位于靠近所述n型发射极区的一侧，所述n型浮栅位于靠近所述n型漂移区的一侧，所述栅极通过电容耦合作用于所述n型浮栅；
在所述MOSFET单元阵列中，至少有一个所述MOSFET单元的所述n型浮栅通过所述栅介质层与所述p型体区隔离，且至少有一个所述MOSFET单元的所述n型浮栅通过一个位于该n型浮栅下方的栅介质层中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚轶，刘伟，刘磊，毛振东，王鑫，
申请(专利权)人：苏州东微半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32