温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供的一种IGBT器件，包括MOSFET单元阵列，每个MOSFET单元包括：位于n型漂移区顶部的p型体区，位于p型体区内的n型发射极区，位于p型体区之上栅介质层、栅极和n型浮栅，栅极位于栅介质层之上且靠近n型发射极区的一侧，n型...
该专利属于苏州东微半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。