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本实用新型涉及一种带有屏蔽栅结构的IGBT器件，在第二导电类型集电极上设置第一导电类型缓冲层、第一导电类型衬底、第二导电类型体区与第一导电类型发射极，在第一导电类型发射极上开设有沟槽，在沟槽内设置屏蔽栅氧化层、栅极导电多晶硅、屏蔽栅多晶硅、...
该专利属于无锡紫光微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡紫光微电子有限公司授权不得商用。

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