存储器的制作方法及存储器技术

本发明专利技术提供一种存储器的制作方法及存储器，涉及存储设备技术领域，用于解决存储速度和存储效率较低的技术问题，该制作方法包括：提供基底，基底内设有多个间隔设置的电容接触垫；在每个电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽；在第一凹槽内形成导电柱，导电柱的上端面与电容接触垫的第一表面齐平；在基底上形成多个电容器，多个电容器与多个电容接触垫一一对应且电连接；每个电容器的第一极板覆盖对应的导电柱，且第一极板的材质与导电柱的材质相同。通过在电容接触垫内设置导电柱，且导电柱和第一极板材质相同，增加了导电柱和第一极板作为一个整体与电容接触垫的接触面积，减少电容器与电容接触垫的接触电阻，从而提高存储效率和存储速度。

【技术实现步骤摘要】
存储器的制作方法及存储器
本专利技术涉及存储设备
，尤其涉及一种存储器的制作方法及存储器。
技术介绍
随着半导体技术和存储技术不断发展，电子设备不断向小型化、集成化方向发展，动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)因其具有较高的存储密度以及较快的读写速度被广泛地应用在各种电子设备中。动态随机存储器一般由多个存储单元组成，每个存储单元通常包括晶体管(Transistor)结构和电容(Capacitor)器。电容器存储数据信息，晶体管结构控制电容器中的数据信息的读写。在动态随机存储器中，电容器通常设置在基底上，且与基底中的电容接触垫电连接，然而，随着尺寸微缩，电容器与电容接触垫之间的接触面积越来越小，接触电阻变大，影响存储器的存储速度和存储效率。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例提供一种存储器的制作方法及存储器，用于减小电容器与电容接触垫之间的接触电阻，提高存储器的存储速度和存储效率。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：第一方面，本专利技术实施例提供一种存储器的制作方法，其包括：提供基底，所述基底内设有多个间隔设置的电容接触垫；在每个所述电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽；在所述第一凹槽内形成导电柱，所述导电柱的上端面与所述电容接触垫的第一表面齐平；在所述基底上形成多个电容器，多个所述电容器与多个所述电容接触垫一一对应且电连接；每个所述电容器的第一极板覆盖对应的所述电容接触垫内的所述导电柱，且所述第一极板的材质与所述导电柱的材质相同。本专利技术实施例提供的存储器的制作方法具有如下优点：本专利技术实施例提供的存储器的制作方法中，先提供基底，基底内设有多个间隔设置的电容接触垫；在每个电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽；在第一凹槽内形成导电柱，导电柱的上端面与电容接触垫的第一表面齐平；在基底上形成多个电容器，多个电容器与多个电容接触垫一一对应且电连接；每个电容器的第一极板覆盖对应的电容接触垫内的导电柱，且第一极板的材质与导电柱的材质相同。通过在电容接触垫内设置导电柱，且导电柱和第一极板的材质相同，从而增加了导电柱和第一极板作为一个整体时与电容接触垫的接触面积，减少了电容器与电容接触垫之间的接触电阻，从而提高存储效率和存储速度。如上所述的存储器的制作方法，所述第一凹槽的开口面积为所述电容接触垫的第一表面的面积的1/3-1/2。如上所述的存储器的制作方法，所述第一凹槽的深度为所述电容接触垫的厚度的1/3-2/5。如上所述的存储器的制作方法，所述第一极板的下端面的面积为对应的所述导电柱的上端面的面积的1.5-3倍。如上所述的存储器的制作方法，在所述第一凹槽内形成导电柱的步骤包括：在所述第一凹槽内和所述基底上沉积导电材料，形成第一导电层；去除位于所述基底上的所述第一导电层，保留的所述第一导电层形成多个所述导电柱。如上所述的存储器的制作方法，通过化学机械研磨去除位于所述基底上的所述第一导电层。如上所述的存储器的制作方法，在每个所述电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽的步骤包括：在所述基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有第一图案；沿所述第一图案刻蚀所述电容接触垫，在所述电容接触垫的第一表面上形成所述第一凹槽；去除所述光刻胶层。如上所述的存储器的制作方法，在所述基底上形成多个电容器，多个所述电容器与多个所述电容接触垫一一对应且电连接的步骤包括：在所述基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述基底、所述电容接触垫和所述导电柱；在所述阻挡层上形成第二极板，所述第二极板形成有多个第一孔洞结构，多个所述第一孔洞结构与多个所述电容接触垫一一对应；在所述第一孔洞结构的孔壁上形成介电层，所述介电层围设成第二孔洞结构，且所述第二孔洞结构延伸至所述电容接触垫；在所述第二孔洞结构中形成第一极板，所述第一极板与所述电容接触垫电连接，且覆盖所述导电柱。如上所述的存储器的制作方法，在所述阻挡层上形成第二极板，所述第二极板形成有多个第一孔洞结构，多个所述第一孔洞结构与多个所述电容接触垫一一对应的步骤包括：在所述阻挡层上形成第一电极层；在所述电极层上形成硬掩模板层，所述硬掩模板层中形成有多个刻蚀孔，多个所述刻蚀孔与多个所述电容接触垫一一对应；沿所述刻蚀孔刻蚀所述第一电极层，以形成所述第一孔洞结构；去除所述硬掩模板层。如上所述的存储器的制作方法，在所述第一孔洞结构的孔壁上形成介电层，所述介电层围设成第二孔洞结构，且所述第二孔洞结构延伸至所述电容接触垫的步骤包括：在所述第一孔洞结构的孔壁和孔底、以及所述第二极板上沉积所述介电层，位于所述第一孔洞结构内的所述介电层围设成所述第二孔洞结构；保留位于所述第一孔洞结构的孔壁的所述介电层，去除其余的所述介电层，所述第二孔洞结构暴露出所述阻挡层；去除部分所述阻挡层，以在所述第二孔洞结构中暴露出所述电容接触垫和所述导电柱。如上所述的存储器的制作方法，在所述第一孔洞结构的孔壁上形成介电层，所述介电层围设成第二孔洞结构，且所述第二孔洞结构延伸至所述电容接触垫的步骤包括：在所述第一孔洞结构的孔壁和孔底、以及所述第二极板上沉积所述介电层，位于所述第一孔洞结构内的所述介电层围设成所述第二孔洞结构；在所述介电层上沉积保护层，位于所述第二孔洞结构内的所述保护层围设成第三孔洞结构；去除位于所述第三孔洞结构孔底的所述保护层和所述介电层，并去除位于所述第二极板上的所述保护层和所述介电层，以使所述第三孔洞结构暴露出所述阻挡层；去除部分所述阻挡层，以在所述第三孔洞结构中暴露出所述电容接触垫和所述导电柱。如上所述的存储器的制作方法，在所述第二孔洞结构中形成第一极板，所述第一极板与所述电容接触垫电连接，且覆盖所述导电柱的步骤包括：在所述第三孔洞结构中、所述保护层上、所述介电层上和所述第二极板上形成第二电极层，所述第二电极层与所述电容接触垫相接触；去除位于所述介电层上和所述第二极板上的所述第二电极层，保留的所述第二电极层形成所述第一极板。如上所述的存储器的制作方法，在所述基底上形成多个电容器，多个所述电容器与多个所述电容接触垫一一对应且电连接的步骤之后，还包括：在所述第二极板、所述介电层和所述第一极板上形成绝缘层；去除部分所述绝缘层，以暴露部分所述第二极板，保留的所述绝缘层覆盖所述第一极板；在所述第二极板和所述绝缘层上形成第二导电层。第二方面，本专利技术实施例还提供一种存储器，其包括：基底和设置在所述基底上的电容器，所述基底内设有多个间隔设置的电容接触垫，每个所述电容接触垫内设有一个导电柱；所述电容器包括：第二极板，所述第二极板中设置有多个第一孔洞结构，多个所述第一孔洞结构与多个所述电容接触垫一一对应；介电层，所述介电层设在所述第一孔洞结构的孔壁，位于所述第一孔洞结构内的所述介电层围设成第二孔洞结构；第一极板，所述第一极板设置在所述第二孔洞结构中，所述第一极板与所述电容接触垫电连接，且覆盖对应的导电柱，所述导电柱的材质与所述第一极板的材质相同。本专利技术实施例提供的存储器具有如下优点：本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底内设有多个间隔设置的电容接触垫；/n在每个所述电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽；/n在所述第一凹槽内形成导电柱，所述导电柱的上端面与所述电容接触垫的第一表面齐平；/n在所述基底上形成多个电容器，多个所述电容器与多个所述电容接触垫一一对应且电连接；每个所述电容器的第一极板覆盖对应的所述电容接触垫内的所述导电柱，且所述第一极板的材质与所述导电柱的材质相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底内设有多个间隔设置的电容接触垫；
在每个所述电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽；
在所述第一凹槽内形成导电柱，所述导电柱的上端面与所述电容接触垫的第一表面齐平；
在所述基底上形成多个电容器，多个所述电容器与多个所述电容接触垫一一对应且电连接；每个所述电容器的第一极板覆盖对应的所述电容接触垫内的所述导电柱，且所述第一极板的材质与所述导电柱的材质相同。


2.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的开口面积为所述电容接触垫的第一表面的面积的1/3-1/2。


3.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为所述电容接触垫的厚度的1/3-2/5。


4.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一极板的下端面的面积为对应的所述导电柱的上端面的面积的1.5-3倍。


5.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一凹槽内形成导电柱的步骤包括：
在所述第一凹槽内和所述基底上沉积导电材料，形成第一导电层；
去除位于所述基底上的所述第一导电层，保留的所述第一导电层形成多个所述导电柱。


6.根据权利要求5所述的存储器的制作方法，其特征在于，通过化学机械研磨去除位于所述基底上的所述第一导电层。


7.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在每个所述电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽的步骤包括：
在所述基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有第一图案；
沿所述第一图案刻蚀所述电容接触垫，在所述电容接触垫的第一表面上形成所述第一凹槽；
去除所述光刻胶层。


8.根据权利要求1-7任一项所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述基底上形成多个电容器，多个所述电容器与多个所述电容接触垫一一对应且电连接的步骤包括：
在所述基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述基底、所述电容接触垫和所述导电柱；
在所述阻挡层上形成第二极板，所述第二极板形成有多个第一孔洞结构，多个所述第一孔洞结构与多个所述电容接触垫一一对应；
在所述第一孔洞结构的孔壁上形成介电层，所述介电层围设成第二孔洞结构，且所述第二孔洞结构延伸至所述电容接触垫；
在所述第二孔洞结构中形成第一极板，所述第一极板与所述电容接触垫电连接，且覆盖所述导电柱。


9.根据权利要求8所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述阻挡层上形成第二极板，所述第二极板形成有多个第一孔洞结构，多个所述第一孔洞结构与多个所述电容接触垫一一对应的步骤包括：
在所述阻挡层上形成第一电极层；
在所述第一电极层上形成硬掩模板层，所述硬掩模板层中形成有多个刻蚀孔，多个所述刻蚀孔与多个所述电容接触垫一一对应；
沿所述刻蚀孔刻蚀所述第一电极层，以形成所述第一孔洞结构；
去除所述硬掩模板层。


10.根据权利要求8所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一孔洞结构的孔壁上形成介电层，所述介电层围设成第二孔洞结构，且所述第二孔洞...

【专利技术属性】
技术研发人员：白卫平，朱丽，应战，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34