存储器及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种存储器及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上具有位线结构；在位线结构侧壁形成第一介质层；形成填充满相邻第一介质层之间的间隙的绝缘膜，绝缘膜覆盖第一介质层顶部以及位线结构顶部，且绝缘膜顶面包括凹陷顶面以及凸起顶面，凹陷顶面朝向靠近基底方向凹陷，凸起顶面朝向远离基底方向凸起，且凹陷顶面的位置与相邻第一介质层之间的间隙的位置相对，凸起顶面的位置与位线结构的位置相对；刻蚀绝缘膜，去除部分基底上的绝缘膜，形成覆盖第一介质层侧壁的绝缘层；在绝缘层侧壁形成第二介质层，且绝缘层位于第二介质层与第一介质层之间。本发明专利技术中实施例有利于改善形成的存储器的性能，且制作流程简单、成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体存储器领域，特别涉及存储器及其形成方法。
技术介绍
随着大规模集成电路的快速发展，存储器中的晶体管结构及其导线的关键尺寸也在快速微缩。随着导线线宽的微缩，导线产生的寄生电容对金属导线及存储器电学性能的影响越来越显著。为了降低存储器中金属导线的寄生电容，目前主要采取的方法包括制作N-O-N隔离结构。然而，为了形成N-O-N隔离结构中的含氧层，现有技术中主要采用刻蚀的方式，工艺流程较为复杂，即目前存储器中的N-O-N隔离结构的形成方法有待改善。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种存储器及其形成方法，相比于现有简述形成N-O-N隔离结构的方法，本专利技术实施方式制作流程简单、成本低廉。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种存储器的形成方法，包括以下步骤：提供基底，基底上具有位线结构；在位线结构侧壁形成第一介质层；形成填充满相邻第一介质层之间的间隙的绝缘膜，绝缘膜覆盖第一介质层顶部以及位线结构顶部，且绝缘膜顶面包括凹陷顶面以及凸起顶面，凹陷顶面朝向靠近基底方向凹陷，凸起顶面朝向远离基底方向凸起，且凹陷顶面的位置与相邻第一介质层之间的间隙的位置相对，凸起顶面的位置与位线结构的位置相对；刻蚀绝缘膜，去除部分基底上的绝缘膜，形成覆盖第一介质层侧壁的绝缘层；在绝缘层侧壁形成第二介质层，且绝缘层位于第二介质层与第一介质层之间。本专利技术实施方式通过形成具有凹陷顶面和突起顶面的绝缘膜，不需要采用化学机械抛光工艺，节省成本；且通过绝缘膜直接刻蚀形成绝缘层，不需要额外形成掩模，流程简单且成本低廉。另外，刻蚀绝缘膜，具体包括：采用第一刻蚀工艺，刻蚀绝缘膜的凸起顶面，暴露出第一介质层和位线结构的顶部表面，同时刻蚀绝缘膜的凹陷顶面形成沟槽，沟槽位于相邻第一介质层之间的间隙内；采用第二刻蚀工艺，刻蚀沟槽露出的绝缘膜，形成绝缘层。另外，第一刻蚀工艺包括射频容性耦合等离子体刻蚀工艺。采用射频容性耦合等离子体进行刻蚀，具有离子轰击能力强的特点，能够将顶部的凹陷顶面和凸起顶面向下转移。另外，射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数包括：采用的射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的材料包括氧气、全氟丁二烯、四氟化碳或氩气中的至少一种；采用的射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的功率为1000W～1500W；采用的射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的压力为10mT～30mT。另外，第二刻蚀工艺包括射频感性耦合等离子体刻蚀工艺。采用射频感性耦合等离子体进行刻蚀，具有化学反应能力强的特点，其纵向的刻蚀性能较好，横向的刻蚀性能较差，对绝缘膜进行刻蚀，从而形成侧壁较为平整的绝缘层。另外，射频感性耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数包括：采用的射频感性耦合等离子体刻蚀工艺的材料包括氧气、全氟丁二烯、或氦气中的至少一种；采用的射频感性耦合等离子体刻蚀工艺的功率为800W～1300W，偏置功率为100W～250W；采用的射频感性耦合等离子体刻蚀工艺的压力为5mT～15mT。另外，第一介质层的材料和第二介质层的材料相同；绝缘层的材料与第一介质层的材料不同。另外，第一介质层的材料为含氮材料；第二介质层的材料为含氮材料；绝缘层的材料为含氧材料。另外，采用原子层淀积的方式形成绝缘膜。通过原子层淀积的方式生成绝缘膜，原子层淀积的方式具有附着性强的优点，能在顶面形成相应的凹陷顶面和凸起顶面，操作简单且成本低廉。本专利技术的实施方式还提供了一种存储器，包括：基底，基底上具有位线结构；第一介质层，位于位线结构的侧壁；绝缘层，位于第一介质层的侧壁；第二介质层，位于绝缘层的侧壁，且绝缘层位于第二介质层与第一介质层之间。另外，第一介质层的材料为含氮材料；第二介质层的材料为含氮材料；绝缘层的材料为含氧材料。另外，绝缘层的厚度范围为3nm～6nm。与现有技术相比，本申请的技术方案具有以下优点：本专利技术实施方式通过形成具有凹陷顶面和凸起顶面的绝缘膜，不需要采用化学机械抛光工艺，节省成本；通过原子层淀积的方式形成的绝缘膜，由于原子层淀积的方式具有附着性强的优点，能直接形成具有凹陷顶面和凸起顶面的绝缘膜，流程简单且成本低廉；且通过射频容性耦合等离子体刻蚀工艺和射频感性耦合等离子体刻蚀工艺，直接刻蚀绝缘膜形成绝缘层，不需要额外形成掩模版，流程简单且成本低廉。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1到图7为本专利技术第一实施方式涉及的一种存储器的形成方法中各步骤对应的剖面结构示意图；图8为本专利技术第二实施方式涉及的一种存储器的剖面结构示意图。具体实施方式现有技术中，采用刻蚀工艺形成N-O-N隔离结构的工艺流程较为复杂，同时其制造成本也相对偏高，即存储器中的N-O-N隔离结构的形成方法有待改善。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种存储器的形成方法，包括以下步骤：提供基底，基底上具有位线结构；在位线结构侧壁形成第一介质层；形成填充满相邻第一介质层之间的间隙的绝缘膜，绝缘膜覆盖第一介质层顶部以及位线结构顶部，且绝缘膜顶面包括凹陷顶面以及凸起顶面，凹陷顶面朝向靠近基底方向凹陷，凸起顶面朝向远离基底方向凸起，且凹陷顶面的位置与相邻第一介质层之间的间隙的位置相对，凸起顶面的位置与位线结构的位置相对；刻蚀绝缘膜，去除部分基底上的绝缘膜，形成覆盖第一介质层侧壁的绝缘层；在绝缘层侧壁形成第二介质层，且绝缘层位于第二介质层与第一介质层之间。通过形成具有凹陷顶面和突起顶面的绝缘膜，不需要采用化学机械抛光工艺，节省成本；且通过绝缘膜直接刻蚀形成绝缘层，不需要额外形成掩模版，流程简单且成本低廉。为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便，不应对本专利技术的具体实现方式构成任何限定，各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合，相互引用。本专利技术的第一实施方式提供一种存储器的形成方法。下面结合附图对本实施方式提供的存储器的形成方法进行具体说明，图1至图7为存储器形成方法各步骤对应的剖面结构示意图。参考图1，提供基底101，基底101上具有位线结构102。在本实施方式中，基底101内具有通孔，相应的，通孔内具有位线结构102，且位于相邻通孔之间的基底101表面也具有位线结构102。需要说明的是，在其他实施例中，基底的表面可以为平整表面，即基底内不具有通孔。位于基底101通孔位置的位线结构102包括：依次堆叠的电连接层112、第一导电层122、第二导电层132以及覆盖层142。其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底上具有位线结构；/n在所述位线结构侧壁形成第一介质层；/n形成填充满相邻所述第一介质层之间的间隙的绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述第一介质层顶部以及所述位线结构顶部，且所述绝缘膜顶面包括凹陷顶面以及凸起顶面，所述凹陷顶面朝向靠近所述基底方向凹陷，所述凸起顶面朝向远离所述基底方向凸起，且所述凹陷顶面的位置与相邻所述第一介质层之间的间隙的位置相对，所述凸起顶面的位置与所述位线结构的位置相对；/n刻蚀所述绝缘膜，去除部分基底上的所述绝缘膜，形成覆盖所述第一介质层侧壁的绝缘层；/n在所述绝缘层侧壁形成第二介质层，且所述绝缘层位于所述第二介质层与所述第一介质层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上具有位线结构；
在所述位线结构侧壁形成第一介质层；
形成填充满相邻所述第一介质层之间的间隙的绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述第一介质层顶部以及所述位线结构顶部，且所述绝缘膜顶面包括凹陷顶面以及凸起顶面，所述凹陷顶面朝向靠近所述基底方向凹陷，所述凸起顶面朝向远离所述基底方向凸起，且所述凹陷顶面的位置与相邻所述第一介质层之间的间隙的位置相对，所述凸起顶面的位置与所述位线结构的位置相对；
刻蚀所述绝缘膜，去除部分基底上的所述绝缘膜，形成覆盖所述第一介质层侧壁的绝缘层；
在所述绝缘层侧壁形成第二介质层，且所述绝缘层位于所述第二介质层与所述第一介质层之间。


2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述绝缘膜，具体包括：
采用第一刻蚀工艺，刻蚀所述绝缘膜的凸起顶面，暴露出所述第一介质层和所述位线结构的顶部表面，同时刻蚀所述绝缘膜的凹陷顶面形成沟槽，所述沟槽位于相邻所述第一介质层之间的间隙内；
采用第二刻蚀工艺，刻蚀所述沟槽露出的所述绝缘膜，形成所述绝缘层。


3.根据权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺包括射频容性耦合等离子体刻蚀工艺。


4.根据权利要求3所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数包括：
采用的所述射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的材料包括氧气、全氟丁二烯、四氟化碳或氩气中的至少一种；
采用的所述射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的功率为1000W～1500W；
采用的所述射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的压力为10mT～30mT。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洋，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34