本实用新型专利技术公开了一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，属于多晶硅生产技术领域，包括反应桶，反应桶上端开口下端封闭，反应桶上方设置有进料管、氯化钡加入管和絮凝剂加入管，进料管、氯化钡加入管和絮凝剂加入管的加入端设置在反应桶中部，反应桶中内部设置有搅拌器，反应桶中部还设置有清水管，清水管靠近反应桶处设置有清水阀，远离清水阀端的清水管上设置有清水泵，反应桶下端设置有排污管，排污管靠近反应桶处设置有排污阀，排污管上还设置有淤泥泵。本实用新型专利技术将硫酸根与硅等杂质去除，有效减少蒸发器结晶。有效减少蒸发器结晶。有效减少蒸发器结晶。
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置
[0001]本技术涉及多晶硅生产
，具体涉及一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置。
技术介绍
[0002]多晶硅材料是以硅为原料经一系列物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是半导体、电子信息业、太阳能光伏电池业最基础的功能性材料。
[0003]多晶硅生产过程中产生的废水可分为两部分：含氯离子的酸性废水与不含氯离子的酸性废水。不含氯离子的酸性废水主要来源于：闭式冷却塔系统排污水(循环水浓缩倍数为5倍)、后处理清洗产品的硝酸废水。含氯离子的废水来源于：生产过程中产生的含氯离子的废渣通过水溶解及生产过程中产生的氯化氢、氯硅烷废气通过水吸收形成的含氯离子的酸性废水。
[0004]现有技术中公开了一种多晶硅废水零排放方法，对来自生产系统的含氯离子的酸性废水进行中和、沉降、澄清得到澄清回用水，再将澄清回用水送往生产系统循环使用，并在其吸收氯离子饱和后进行蒸发浓缩结晶得到固体氯化钙；蒸发冷凝水送往冷却塔作为补充水。澄清回用水在吸收氯离子饱和后需要进行蒸发。蒸发装置运行时会结垢，需要定时清洗。经过对垢的检测发现主要成分为硫酸钙。
技术实现思路
[0005]本技术旨在解决现有技术中存在的问题，提供一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，本技术采用加入氯化钡将高盐废水中的硫酸根粒子去除，生产硫酸钡沉淀，加入絮凝剂、氯化铁和石灰乳去除高盐废水中的硅和硫酸根，从根源上去除硫酸根避免闪蒸时闪蒸器结垢。
[0006]本技术的目的是通过以下技术方案实现的：
[0007]一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，其特征在于：包括反应桶，所述反应桶上端开口下端封闭，所述反应桶上方设置有进料管、氯化钡加入管和絮凝剂加入管，所述进料管、氯化钡加入管和絮凝剂加入管的加入端设置在反应桶中部，所述反应桶中内部设置有搅拌器，所述反应桶中部还设置有清水管，所述清水管靠近反应桶处设置有清水阀，远离清水阀端的清水管上设置有清水泵，所述反应桶下端设置有排污管，所述排污管靠近反应桶处设置有排污阀，所述排污管上还设置有淤泥泵。
[0008]优选的，所述反应桶上部为圆柱形，下部为圆锥状。
[0009]优选的，所述搅拌器包括搅拌桨、搅拌轴、减速器和搅拌电机，所述搅拌桨设置在反应桶内部，所述搅拌桨设置在搅拌轴上，所述搅拌轴上端通过减速器与搅拌电机输出端相连。
[0010]优选的，所述搅拌电机通过支架固定设置在反应桶上方。
[0011]优选的，所述反应桶上方还设置有氯化铁加入管和石灰乳加入管。
[0012]优选的，所述反应桶与清水阀之间的清水管上设置有第一冲洗水管，所述第一冲洗水管靠近反应桶处设置第一冲洗水阀。
[0013]优选的，所述反应桶与排污阀之间的排污管上设置有第二冲洗水管，所述第二冲洗水管靠近反应桶处设置第二冲洗水阀。
[0014]优选的，所述反应桶采用两个。
[0015]优选的，所述淤泥泵的出口与污水处理站相连。
[0016]工作原理：使用前关闭排污阀和清水阀，将高盐废水通过进料管进入反应桶，随后从氯化钡加入管、絮凝剂加入管、氯化铁加入管和石灰乳加入管分别加入氯化钡溶液、PAM絮凝剂、氯化铁溶液和石灰乳，并开启搅拌器，使高盐废水与氯化钡溶液、PAM絮凝剂、氯化铁溶液和石灰乳充分接触，高盐废水中的硫酸根离子跟钡离子生成硫酸钡沉淀并沉降在反应桶下部，高盐废水中的硅等杂质与PAM絮凝剂、氯化铁溶液和石灰乳生成更大的沉淀物并沉降在反应桶下部，搅拌一端时间后关闭搅拌器，使杂质沉淀。打开排污阀、淤泥泵和污水处理站的压滤机，沉淀的杂质通过淤泥泵送至污水处理站的压滤机，得到水分很少的杂质。随后打开清水阀和清水泵，澄清的清水通过反应桶中部的清水泵送至后系统重复利用，靠近反应桶设置的清水阀和排污阀可以有效减少管道堵塞。
[0017]本技术方案的有益效果如下：
[0018]一、本技术提供的一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，本技术采用加入氯化钡将高盐废水中的硫酸根粒子去除，生产硫酸钡沉淀，加入絮凝剂、氯化铁和石灰乳去除高盐废水中的硅和硫酸根，从根源上去除硫酸根避免闪蒸时闪蒸器结垢。
[0019]二、本技术提供的一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，反应桶上部为圆柱形，下部为圆锥状，使得沉降后的杂质更容易排出反应桶。
[0020]三、本技术提供的一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，氯化铁和石灰乳的加入使得硅等杂质沉降效果更好。
[0021]四、本技术提供的一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，清水阀关闭时，第一冲洗水阀小开度的开启，避免沉降物在清水管内堆积有效防止清水管堵塞；当清水管堵塞后，全开第一冲洗水阀，利用冲洗水的压力疏通清水管。
[0022]五、本技术提供的一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，排污阀关闭时，第二冲洗水阀小开度的开启，避免沉降物在排污管内堆积有效防止排污管堵塞；当排污管堵塞后，全开第二冲洗水阀，利用冲洗水的压力疏通排污管。
[0023]六、本技术提供的一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，反应桶采用两个，一备一用，减少等待时间。
附图说明
[0024]图1为本技术的结构示意图；
[0025]其中：1、反应桶；2、进料管；3、氯化钡加入管；4、絮凝剂加入管；5、搅拌器；5.1、搅拌桨；5.2、搅拌轴；5.3、减速机；5.4、搅拌电机；6、清水管；7、清水阀；8、清水泵；9、排污管；10、排污阀；11、淤泥泵；12、污水处理站；13、支架；14、氯化铁加入管；15、石灰乳加入管；16、第一冲洗水管；17、第一冲洗水阀；18、第二冲洗水管；19、第二冲洗水阀。
具体实施方式
[0026]下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。
[0027]实施例1
[0028]作为本技术一种最基本的实施方案，本实施例公开了一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，如图1所示，包括反应桶1，所述反应桶1上端开口下端封闭，所述反应桶1上方设置有进料管2、氯化钡加入管3和絮凝剂加入管4，所述进料管2、氯化钡加入管3和絮凝剂加入管4的加入端设置在反应桶1中部，所述反应桶1中内部设置有搅拌器5，所述反应桶1中部还设置有清水管6，所述清水管6靠近反应桶1处设置有清水阀7，远离清水阀7端的清水管6上设置有清水泵8，所述反应桶1下端设置有排污管9，所述排污管9靠近反应桶1处设置有排污阀10，所述排污管9上还设置有淤泥泵11。
[0029]实施例2
[0030]作为本技术一种优选的实施方案，本实施例公开了一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，如图1所示，包括反应桶1，所述反应桶1上端开口下端封闭，所本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，其特征在于：包括反应桶（1），所述反应桶（1）上端开口下端封闭，所述反应桶（1）上方设置有进料管（2）、氯化钡加入管（3）和絮凝剂加入管（4），所述进料管（2）、氯化钡加入管（3）和絮凝剂加入管（4）的加入端设置在反应桶（1）中部，所述反应桶（1）中内部设置有搅拌器（5），所述反应桶（1）中部还设置有清水管（6），所述清水管（6）靠近反应桶（1）处设置有清水阀（7），远离清水阀（7）端的清水管（6）上设置有清水泵（8），所述反应桶（1）下端设置有排污管（9），所述排污管（9）靠近反应桶（1）处设置有排污阀（10），所述排污管（9）上还设置有淤泥泵（11）。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，其特征在于：所述反应桶（1）上部为圆柱形，下部为圆锥状。3.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产用去除高盐废水中硫酸钙的装置，其特征在于：所述搅拌器（5）包括搅拌桨（5.1）、搅拌轴（5.2）、减速器和搅拌电机（5.4），所述搅拌桨（5.1）设置在反应桶（1）内部，所述搅拌桨（5.1）设置在搅拌轴（5.2）上，所述搅拌轴（5.2）上端通过减速器与搅拌...
【专利技术属性】
技术研发人员：张强，杨武明，涂大勇，
申请(专利权)人：四川永祥新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：
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