【技术实现步骤摘要】
电子级氟甲烷的新型制备装置及其预热活化方法
[0001]本专利技术涉及一种电子级氟甲烷的新型制备装置及其预热活化方法。
技术介绍
[0002]一氟甲烷(CH3F)是一种在常温常压下无毒、可液化的气体,其广泛应用于半导体工业,作为等离子蚀刻材料用于蚀刻硅化合物的薄膜。目前制备一氟甲烷的方法可以通过HF与甲醇反应生成制备。但是,由于HF的腐蚀性较大,现有技术中并没有提供专用于一氟甲烷连续化工业生产的设备。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供了一种电子级氟甲烷的新型制备装置及其预热活化方法,可以有效解决上述问题。
[0004]本专利技术是这样实现的:
[0005]本专利技术提供一种电子级氟甲烷的新型制备装置,包括:
[0006]反应罐包括:中空罐体、可拆卸设置于所述中空罐体顶部的顶盖、可拆卸设置于所述中空罐体底部的底盖、分别设置于所述中空罐体以及所述顶盖之间和所述中空罐体以及所述底盖之间的隔板、贯穿设置于所述隔板之间的催化剂列管,设置于所述顶盖的气体物料进口,设置于所述底盖的物料出口; ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子级氟甲烷的新型制备装置,其特征在于,包括:反应罐(10)包括:中空罐体(101)、可拆卸设置于所述中空罐体(101)顶部的顶盖(102)、可拆卸设置于所述中空罐体(101)底部的底盖(103)、分别设置于所述中空罐体(101)以及所述顶盖(102)之间和所述中空罐体(101)以及所述底盖(103)之间的隔板(109)、贯穿设置于所述隔板(109)之间的催化剂列管(105),设置于所述顶盖(102)的气体物料进口(104),设置于所述底盖(103)的物料出口(106);加热单元(11),包括设置于所述中空罐体(101)底部的热媒管道进口(111)、设置于所述中空罐体(101)顶部的热媒管道出口(112)、以及设置于所述中空罐体(101)顶部的热媒排气口(114);测温单元(12),包括用于测量所述中空罐体(101)顶部、中部以及底部的第一温度传感器(121)、第二温度传感器(122)以及第三温度传感器(123);测压单元(13),设置于所述顶盖(102)中,用于测量所述顶盖(102)的反应压力。2.如权利要求1所述的电子级氟甲烷的新型制备装置,其特征在于,所述加热单元(11)进一步包括设置于所述中空罐体(101)底部的热媒排净口(111)。3.如权利要求1所述的电子级氟甲烷的新型制备装置,其特征在于,反应罐(10)包括进一步出气罩(108),罩设于所述气体物料进口(104),所述出气罩(108)为倒梯形结构,且其两侧边均匀开设有多个开孔(1082)。4.如权利要求3所述的电子级氟甲烷的新型制备装置,其特征在于,所述催化剂列管(105)均匀布设于所述中空罐体(101)的中部。5.如权利要求1所述的电子级氟甲烷的新型制备装置,其特征在于,所述催化剂列管(105)包括填充于其中的催化剂颗粒,所述催化剂颗粒由8~10份重量的三氯化铬/活性炭复合物以及50~70份重量的三氯化铝混合而成,且三氯化铬在所述三氯化铬...
【专利技术属性】
技术研发人员:张奎,林德荣,林百志,杨青,黄荣保,阙祥育,
申请(专利权)人:福建德尔科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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