一种铁磁二维材料Fe3GeTe2的CVD制备方法技术

本发明专利技术涉及磁性二维材料的CVD制备技术，具体为一种铁磁二维材料Fe3GeTe2的CVD制备方法。本发明专利技术首次利用化学气相沉积法生长制得铁磁二维材料Fe3GeTe2，操作简单，制备过程中可控性较强，所得到的薄膜膜层致密且均匀，生成的二维材料呈现三角形或六边形，热稳定性好，空气稳定性高，最终获得的二维材料质量较高；并提供了通过控制生长过程中CVD管内的压强变化来控制最终所得样品的厚度，为Fe3GeTe2二维材料的制备提供了一个新的方法以及调控膜厚的新路径。的新路径。的新路径。

【技术实现步骤摘要】
一种铁磁二维材料Fe3GeTe2的CVD制备方法


[0001]本专利技术涉及磁性二维材料的CVD制备技术，具体为一种铁磁二维材料Fe3GeTe2的CVD制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，二维材料在国际上成为备受关注的研究热点，这是由于石墨烯以及后来的层状过渡金属二硫化物(TMDs)的发现打开了二维层状材料的大门，并且在二维材料上取得了巨大的成功。就目前而言，研究人员已经开发出具有各种特性的各种二维材料，例如半导体、金属、超导体、具备拓扑特性和磁性基态等性质的二维材料等[1]。
[0003]二维材料在单层或者几个原子层的时候，都显示出与其块体截然不同的性质，为原子级别的电子器件的制作提供了可能性。对于磁性二维材料，它们能将自发磁化保持到单原胞层厚度，为人们理解和调控低维磁性提供了新的研究对象，也为二维磁性与自旋电子学器件的研发开辟了新的方向，在新型光电器件、自旋电子学器件等方面有着重要应用价值。
[0004]2018年，张远波团队针对一种二维磁性材料Fe3GeTe2进行了一系列研究
[2]，文章通过机械剥离的方法得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁磁二维材料Fe3GeTe2的CVD制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤1，将Fe、Ge和Te的反应源按摩尔比为Fe：Ge：Te＝3：1：2称量，并称量摩尔比Ge：输送剂为1：0.5
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1的输送剂，分别置于容器备用；反应源为Fe、Ge、Te的各种单质或者化合物；步骤2，将SiO2/Si、云母或蓝宝石的基片和步骤1备好装有反应源和输送剂的容器依次放入CVD管式炉的石英管之中，并将石英管密封好；其中，基片置于石英管出气口端，其余盛放步骤1备料的容器按照熔点从高至低依次从石英管的中心位置向石英管进气口方向排列；步骤3，向密封之后的石英管内通入200sccm的92％
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95％Ar和5％
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8％H2的混合气体，进行洗气；步骤4，设定控温程序：初始温度为室温，升温时间控制在20～30min之内，匀速升温达到最高温度，最高温度设定在900℃
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950℃之间，并在该最...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭波，鲁晓，邓龙江，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：