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本发明涉及磁性二维材料的CVD制备技术，具体为一种铁磁二维材料Fe3GeTe2的CVD制备方法。本发明首次利用化学气相沉积法生长制得铁磁二维材料Fe3GeTe2，操作简单，制备过程中可控性较强，所得到的薄膜膜层致密且均匀，生成的二维材料呈现...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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