用于半导体装置组合件的接地连接制造方法及图纸

本申请涉及用于半导体装置组合件的接地连接。在一个实施例中，半导体装置组合件可以包括安装在封装衬底的上表面上的一或多个半导体管芯。此外，所述封装衬底包括设置在所述上表面上的接合焊盘，所述接合焊盘可以被指定为所述半导体装置组合件的接地节点。所述接合焊盘可以通过导电部件电连接到所述半导体装置组合件的电磁干扰EMI屏蔽，所述导电部件附接到所述接合焊盘并且被配置成在所述半导体装置组合件的侧壁表面或顶表面与所述EMI屏蔽接触，从而形成所述接地连接。此接地连接可以减少形成所述EMI屏蔽的处理时间，同时提高所述半导体装置组合件的成品率和可靠性性能。述半导体装置组合件的成品率和可靠性性能。述半导体装置组合件的成品率和可靠性性能。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体装置组合件的接地连接


[0001]本公开总体上涉及半导体装置组合件，并且更具体地涉及用于半导体装置组合件的 接地连接。

技术介绍

[0002]半导体封装通常包括安装在衬底上的半导体管芯(例如，存储器芯片、微处理器芯片、 成像器芯片)，所述半导体管芯封装在保护性覆盖物中。半导体管芯可以包括功能特征， 例如存储器单元、处理器电路或成像器装置，以及电连接到功能特征的接合焊盘。接合 焊盘可以电连接到衬底的对应导电结构，所述导电结构可以耦合到保护性覆盖物外部的 端子，使得半导体管芯可以连接到更高级的电路。
[0003]在一些半导体封装中，可在半导体封装上形成金属层以屏蔽不期望的电磁干扰 (EMI)效应。用于电磁屏蔽(其可以被称为EMI屏蔽)的金属层旨在形成到半导体封装的 公共电压节点(例如，接地节点)的导电连接，所述公共电压节点可以位于半导体封装的 底表面上。在一些实例中，EMI屏蔽可能遭受半导体封装的金属层和接地节点之间的不 可靠的连接(例如，由于不连续性)。在其它实例中，EMI屏蔽可能遭受金属层和除接地 节点之外的其它节点之间的无意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置组合件，其包含：第一半导体管芯；封装衬底，其支撑所述第一半导体管芯，所述封装衬底包括用于所述半导体装置组合件的公共电压节点的第一接合焊盘；以及第一导电部件，其将所述第一接合焊盘与包围形成在所述封装衬底上的封装外壳的导电屏蔽耦合，其中所述封装外壳包括包封所述第一半导体管芯和所述第一导电部件的密封剂。2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一导电部件终止于所述封装外壳的侧壁表面以连接到所述导电屏蔽。3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一导电部件终止于所述封装外壳的顶表面以连接到所述导电屏蔽。4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一接合焊盘在所述封装衬底的上表面上，所述第一半导体管芯安装到所述封装衬底的上表面上。5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述导电屏蔽围绕所述封装衬底的周边。6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包含：第二导电部件，其连接到所述第一半导体管芯的第二接合焊盘并且从所述第一半导体管芯的第二接合焊盘朝向所述导电屏蔽延伸。7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包含：所述封装衬底的第二接合焊盘，所述第二接合焊盘被配置成连接到所述公共电压节点；以及第二导电部件，其将所述第二接合焊盘与所述导电屏蔽耦合。8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包含：接合线，其被配置成将所述第一半导体管芯的第三接合焊盘与所述封装衬底的第四接合焊盘耦合，其中：所述第一导电部件包括大于所述接合线的第二截面面积的第一截面面积。9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包含：一或多个第二半导体管芯，其中：所述第一半导体管芯经由所述一或多个第二半导体管芯附接到所述封装衬底，使得所述第一半导体管芯是包括所述第一半导体管芯和所述一或多个第二半导体管芯的半导体管芯堆叠的最顶部半导体管芯。10.一种方法，其包含：形成连接到封装衬底的第一接合焊盘的导电部件，所述封装衬底包括附接到其上的半导体管芯，所述第一接合焊盘用于包括所述封装衬底的半导体装置组合件的公共电压节点；用形成在所述封装衬底上的密封剂密封所述半导体管芯和所述导电部件；暴露所述导电部件的部分；以及形成包封所述密封剂的导电屏蔽，所述导电屏蔽被配置成连接到所述导电部件的暴露的所述部分。
11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含：沿垂直于所述第一接合焊盘的表面的方向将所述导电部件从所述第一接合焊盘延伸到第一高度，所述第一高度大于所述半导体管芯的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：白宗植，权永益，高荣范，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：