闪存桥接装置、方法及其应用系统制造方法及图纸

一种闪存桥接（ｂｒｉｄｇｅ）装置、方法及其应用系统，是应用闪存桥接装置中提供的缓冲区作为高速缓存（ｃａｃｈｅ），以储存ＮＡＮＤ闪存中的部分地址数据，再以闪存桥接装置中提供的高速缓存控制逻辑（ｃａｃｈｅｃｏｎｔｒｏｌｌｏｇｉｃ），来判断欲读取的数据为高速缓存命中（ｃａｃｈｅｈｉｔ），故可以直接响应，或高速缓存失败（ｃａｃｈｅｍｉｓｓ），故必须等待，以及于数据读取过程中，运用错误更正码功能来更正读取数据的错误，以将ＮＡＮＤ闪存仿真为ＮＯＲ闪存来储存程序代码与数据，达到降低其制造成本，并维持其效能与可靠度的功效。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种闪存桥接装置，且特别是涉及一种将NAND闪存仿真为NOR闪存使用的装置、方法及其应用系统。为达上述及其它目的，本专利技术提供一种闪存桥接装置，适用于将一NAND闪存仿真为NOR闪存，以连接存储器接口，包括缓冲区及控制逻辑。其中，缓冲区用以储存对应于NAND闪存部分地址的数据。控制逻辑耦接缓冲区，用以接收存储器指令，判断、执行及响应存储器指令的要求。本专利技术的较佳实施例中，控制逻辑还包括第一缓冲存取(bufferaccess)单元、缓冲控制逻辑、第二缓冲存取单元、错误更正码(errorcorrection code)单元、区块地址转换(block address translation table)单元、NAND闪存控制单元及主控制逻辑单元。其中，第一缓冲存取单元用以作为存储器接口与缓冲区的存取接口。缓冲控制逻辑耦接第一缓冲存取单元及缓冲区，用以控制读写缓冲区。第二缓冲存取单元耦接缓冲控制逻辑，用以作为NAND闪存与缓冲区的存取接口。错误更正码单元耦接第二缓冲存取单元，用以更正自NAND闪存读取数据的错误。区块地址转换单元耦接第二缓冲存取单元，用以将存储器指令本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存桥接装置，适用于将一ＮＡＮＤ闪存仿真为一ＮＯＲ闪存，以连接一存储器接口，包括：一缓冲区，用以储存对应于该ＮＡＮＤ闪存部分地址的数据；以及一控制逻辑，耦接该缓冲区，用以接收一存储器指令，执行及响应该存储器指令的要求。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐迎华，韩文琪，沈璞如，
申请(专利权)人：科统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]