半导体结构分析方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构分析方法，包括：提供一绝缘体上的基底，基底包括上半导体层、下半导体层，以及位于上半导体层和下半导体层之间的氧化层；上半导体层的表面形成测试区块；刻蚀测试区块形成刻蚀槽，刻蚀槽贯穿上半导体层和氧化层；向刻蚀槽填充导电介质形成导电通路；以及利用二次离子质谱分析方法对测试区块进行分析。如此配置，在形成的刻蚀槽中填充导电介质形成导电通路，以连接上半导体层和下半导体层，从而消除测试区块富集大量正电荷形成的电场，在进行二次离子质谱分析时，使二次离子可正常偏向接收器。进一步，通过研究所述测试区块和基底的二次离子信号频谱图，可大致确定氧化层于基底中的位置和氧化层的厚度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构分析方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构分析方法。

技术介绍

[0002]二次离子质谱是一种高灵敏度和高分辨率的表面分析仪器，是半导体集成电路制造和研发阶段必不可少的工具。在28/22/14/12nm等节点的半导体制程中，材料中微量掺杂SiGe、SiP会对应用的器件的特性有重大影响，现有技术通常采用二次离子质谱研究超浅注入和超薄层杂质Ge/B/P元素的分布。
[0003]对于LP/HKMG/FinFET等工艺产品，如图1a所示，图1a是现有的二次离子质谱分析示意图，通过调节加载在基底上的电压01至目标值，使基底溅射出的二次离子在电场的作用下偏向二次离子接收器02，完成二次离子质谱分析。
[0004]如图1b～1d所示，图1b是现有的FDSOI结构的示意图，图1c是FDSOI结构的主视图，图1d是FDSOI结构的俯视图，相较于LP/HKMG/FinFET等工艺产品，FDSOI(全耗尽绝缘体上硅)在硅基底上会形成一层氧化层03。此外，硅基底的表面形成有测试区域04，如图1e所示，图1e是一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构分析方法，其特征在于，包括：提供一绝缘体上的基底，所述基底包括上半导体层、下半导体层，以及位于所述上半导体层和所述下半导体层之间的氧化层；所述上半导体的表面形成测试区块；刻蚀所述测试区块形成刻蚀槽，所述刻蚀槽贯穿所述上半导体层和所述氧化层；向所述刻蚀槽填充导电介质形成导电通路；以及利用二次离子质谱分析方法对所述测试区块进行分析。2.根据权利要求1所述的半导体结构分析方法，其特征在于，刻蚀所述测试区块形成，形成至少四个所述刻蚀槽。3.根据权利要求2所述的半导体结构分析方法，其特征在于，将至少四个所述刻蚀槽配置为沿所述测试区块的周向分布。4.根据权利要求1所述的半导体结构分析方法，其特征在于，刻蚀所述测试区块形成刻蚀槽的步骤包括：利用聚焦离子束工艺刻蚀所述测试区块。5.根据权利要求1所述的半导体结构分析方法，其特征在于，向所述刻蚀槽填充导电介质形成导电通路...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹圣楠，袁安东，高金德，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
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