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本发明提供一种半导体结构分析方法，包括：提供一绝缘体上的基底，基底包括上半导体层、下半导体层，以及位于上半导体层和下半导体层之间的氧化层；上半导体层的表面形成测试区块；刻蚀测试区块形成刻蚀槽，刻蚀槽贯穿上半导体层和氧化层；向刻蚀槽填充导电介...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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