半导体集成电路装置及其设计方法制造方法及图纸

一种半导体集成电路装置，是具有包含多个构成要素的电路块的半导体集成电路装置，其特征是　　　　向所述多个构成要素中的至少一个供给与其它构成要素不同的值的电压。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路装置以及半导体集成电路装置的设计方法。
技术介绍
随着半导体集成电路装置的高性能化以及大规模化，电能消耗的增加成为问题。特别是，在移动通信领域使用的半导体集成电路装置，由于是在有限的电能下动作，所以降低电能消耗是重要的课题。作为降低半导体集成电路装置的电能消耗的一种方法，有一种对供给到构成半导体集成电路装置的电路模块的1个电压进行控制的技术。该技术是对每个电路模块，将向电路模块供给的电源电压降低到一定值，或者切断电源电压的供给。这样，可以降低半导体集成电路装置的耗电。专利文献1专利第3117910号公报但是，在上述现有技术中，由于要针对每个电路块进行控制，所以对半导体集成电路装置要进一步实现低耗电化是困难的。另外，随着半导体集成电路装置中元件的微细化，因IR-Drop效应等引起的电压降低，对于半导体集成电路装置要实现高速动作的目的会产生困难。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种可以实现低耗电化的。另外，本专利技术的目的还在于提供一种在保持目标电路的动作的同时可以不降低其性能地实现低耗电化的。为了解决上述课题，本专利技术的半导体集成电路装置，是具有包含多个构成要素的电路块的半导体集成电路装置，其特征是向多个构成要素中的至少一个供给与其它构成要素不同的值的电压。依据本专利技术的半导体集成电路装置，由于向电路块内的构成要素供给与其它构成要素不同的电压，所以可以实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选包括向电路块供给各个不同值的电压的多个电源，多个电源中的1个是供给给定的电压，其余是供给从给定电压依次降压后的电压的电源。这样，由于可以向构成要素供给按给定比例降压后的电压或者与半导体集成电路装置的构成对应的电压等，所以可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选向多个构成要素的每一个，供给根据在多个构成要素的每一个所属的路径中产生的在给定条件下的信号传递延迟值的电压。这样，由于向构成要素供给与信号传递延迟值对应的电压，所以可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选多个构成要素中信号传递延迟值最大的路径所属的构成要素，被供给可以使该路径信号传递延迟值在容许的最大值以内的电压。这样，在保持半导体集成电路装置的动作速度的情况下，可以实现低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选信号传递延迟值最大的路径以外的路径所属的构成要素，供给比向信号传递延迟值最大的路径供给的电压要低的电压。这样，可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选向同一路径所属的2个以上的构成要素供，根据信号传递延迟值，供给具有2种以上的值的电压。这样，可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选根据信号传递延迟值，向属于一个路径的构成要素中的一部分构成要素供给的电压容许降压时，向一路径和其它路径所属的构成要素供给比向一路径所属的该构成要素以外的构成要素供给的电压要低的电压。这样，由于多个路径所属的构成要素转移概率高，所以通过向其构成要素供给低电压，可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选多个构成要素，分开配置在与要供给的各个电压值对应的多个区域。这样，由于多个构成要素分开配置在不同电压的配置区域中，所以不需要复杂的电源布线，可以实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选包括向电路块供给各个不同值的电压的多个电源，根据供给多个电源的每一个的电压的构成要素的数量，确定向多个构成要素的每一个的电压的值。这样，由于更有效将多个构成要素分开配置在不同电压的配置区域中，所以可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选通过将与多个构成要素的每一个连接的多个电源布线中至少一个电源布线分离，分割成要向各个供给的电压的值对应的多个区域。这样，不需要对半导体集成电路装置的设计流程大的变更，只需进行最小限度的变更，可以形成多个配置区域。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选多个构成要素的每一个，根据在多个构成要素的每一个所属的路径中产生的在给定条件下的信号传递延迟值，配置在多个区域的任一个中。这样，由于根据信号传递延迟值，将多个构成要素分开配置在不同电压的配置区域中，所以可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选同一路径所属的2个以上的构成要素，根据在多个构成要素的每一个所属的路径中产生的在给定条件下的信号传递延迟值，配置在多个区域中的2个以上的不同区域。这样，可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选根据在多个构成要素的每一个所属的路径中产生的在给定条件下的信号传递延迟值，向属于一个路径中的构成要素中一部分构成要素供给的电压容许降压时，属于一个路径和其它路径中的构成要素，配置在供给比配置属于一个路径的该构成要素以外的构成要素的区域要低的电压的区域中。这样，由于多个路径所属的构成要素转移概率高，通过向该构成要素供给低电压，所以可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选多个区域中的至少一个，根据距电源布线的距离，进一步分成多个区域。这样，在一个区域内，进一步分成与电压降低对应的多个区域，可以增加向构成要素供给的电压的种类，并且不需要复杂的电源控制，可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化，并且可以防止因电压降低引起的半导体集成电路装置的性能劣化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选距电源布线的距离，是考虑了IR-Drop效应的距离。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选多个构成要素的每一个，根据在多个构成要素的每一个所属的路径中产生的在给定条件下的信号传递延迟值，配置在进一步分成的多个区域的任一个。这样，由于根据信号传递延迟值，将多个构成要素进一步配置在分开的多个区域中，所以可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选信号传递延迟值最大的路径所属的构成要素，配置在进一步分成的多个区域中距上述电源布线最近的区域。这样，可以防止因电压降低引起的半导体集成电路装置的性能劣化，并且可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选在进一步分成的多个区域中的一个区域中配置构成要素的条件下的信号传递延迟值不到容许的最大值的路径所属的构成要素，使信号传递延迟值处在容许的最大值以内那样，配置距电源布线的距离比一区域要远的其它区域中。这样，由于将信号传递延迟值有余量的构成要素配置在电压降低的影响大的区域，所以在保持半导体集成电路装置的性能的情况下可以实现更详细的低耗电化。在本专利技术的半导体集成电路装置中，优选进一步分成的多个区域，根据连接在上述电源布线上的连接元件的数量进一步分成多个区域。这样，由于利用连接元件的数量不同而电阻不同，所以可以更详细设定向半导体集成电路装置的构成要素供给的电源电压，可以更有效实现半导体集成电路装置的低耗电化。另外，为了解决上述课题，本专利技术的半导体集成电路装置的设计方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：西川亮太，岛村秋光，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：