电磁屏蔽结构及电子产品制造技术

本实用新型专利技术公开一种电磁屏蔽结构及应用该电磁屏蔽结构的电子产品，其中，电磁屏蔽结构包括：双面导通的聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于6微米；双面导通的聚合物薄膜层具有供电离子通过的微孔通道，所述微孔通道的孔径为0.001微米至0.01微米；分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层通过聚合物薄膜层导通；本实用新型专利技术的技术方案提供一种厚度非常薄的双面导通的电磁屏蔽结构。度非常薄的双面导通的电磁屏蔽结构。度非常薄的双面导通的电磁屏蔽结构。

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽结构及电子产品


[0001]本技术涉及电磁屏蔽
，特别涉及一种电磁屏蔽材料及应用该电磁屏蔽材料的电子产品。

技术介绍

[0002]导电布是一种电磁屏蔽材料，具有良好的导电性及电磁波屏蔽效果。电磁屏蔽导电布以其优良的垂直导通和屏蔽效能广泛应用在电子、仪表等行业，能防止由于静电所造成的电子元器件损坏、老化。然而，现有的导电布的生产工艺流程长，经几道化学镀或电镀工艺，环境污染大，金属层附着力也不甚理想。且，由于工艺的要求，导电布的厚度很难做薄，其厚度通常是18微米以上；另外由于导电布生产过程中难以精确控制，导致产品合格率较低，成本偏高。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的是提供一种电磁屏蔽材料的制作方法，旨在获得一种能实现导电布功能的具有更好柔性的电磁屏蔽材料。
[0004]为实现上述目的，本技术提出的电磁屏蔽材料包括：
[0005]双面导通的聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于6微米；双面导通的聚合物薄膜层具有供电离子通过的微孔通道，所述微孔通道的孔径为0.001微米至0.01微米，相邻微孔通道的距离范围为0.001微米至0.01微米；
[0006]分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层通过聚合物薄膜层导通。
[0007]可选地，所述金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.05微米，且小于或等于 1微米。
[0008]可选地，双面导通的聚合物薄膜层由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚乙烯以及聚丙烯中的任意一种制成。
[0009]可选地，所述金属屏蔽层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层覆盖在聚合物薄膜层的表面，第二金属层位于第一金属层背对聚合物薄膜层的一侧；第一金属层由铜材质或者铜合金材质制成，第二金属层由镍材质制成。
[0010]可选地，所述金属屏蔽层还包括第三金属层，所述第三金属层位于第一金属层和第二金属层之间，所述第三金属层由锡材质制成。
[0011]可选地，对聚合物薄膜层进行打孔处理，在聚合物薄膜层上形成若干通孔，通孔的孔径范围为0.1微米
‑
100微米，孔距范围为0.1微米
‑
100微米；若干通孔的孔壁上形成有连接聚合物薄膜层两个侧面上的金属屏蔽的金属连接层。
[0012]可选地，对聚合物薄膜层进行打孔处理的方式为激光打孔，所述若干通孔的孔径范围为0.1微米
‑
3微米，孔距范围为0.1微米
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10微米。
[0013]可选地，形成于聚合物薄膜层两个表面的金属屏蔽层的层数为1
‑
3层，不同层金属屏蔽层的厚度相同或不相同，不同层金属屏蔽层的材质相同或不相同。
[0014]可选地，所述通孔内填充有电磁屏蔽材料和/或可焊接金属材料。
[0015]本技术还提供一种电子产品，包括电子产品本体，该电子产品本体被包覆有如上所述的电磁屏蔽材料。
[0016]本技术的电磁屏蔽材料，通过对聚合物薄膜层的表面进行粗化，提升了聚合物薄膜层表面的达因值，即提升了聚合物薄膜层表面的能量，进而在镀金属层时更容易接受沉积的金属层，在聚合物薄膜层的厚度降低至1.5微米时仍能获得很好的镀覆效果，从而可在聚合物薄膜层的表面形成具有良好电磁屏蔽效果的金属屏蔽层；由于本技术中的聚合物薄膜层非常薄，内部具有供导电离子通过的微孔通道，使得其自身具有导电效果，也即，双面导通的聚合物薄膜层的两个侧面在其自身属性下导通；当在其两侧覆盖金属屏蔽层时，聚合物导通两个金属屏蔽层。
[0017]在一些实施例中，又由于聚合物薄膜层的厚度很小，通过对聚合物薄膜层进行打孔，在形成的若干通孔的孔壁能很好地沉积金属屏蔽层，将聚合物薄膜层两个表面的金属屏蔽层导通，从而满足垂直电阻的要求，实现导电布的屏蔽功能。相较于导电布，本技术的电磁屏蔽材料非常薄，相较于导电布具有更好的柔性，进而提升了电磁屏蔽材料在应用到电子产品时的使用效果及使用的灵活性，可以代替导电布填补12微米以下柔性双面导通屏蔽材料的空白。且，本技术的电磁屏蔽材料无需电镀或化学镀，工艺简单，环保，成本低。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0019]图1为本技术电磁屏蔽材料第一实施例的剖视结构示意图；
[0020]图2为本技术电磁屏蔽材料第二实施例的剖视结构示意图；
[0021]图3为本技术电磁屏蔽材料第三实施例的剖视结构示意图；
[0022]图4为本技术电磁屏蔽材料另一施例的剖视结构示意图；
[0023]图5为本技术电磁屏蔽材料又一实施例的剖视结构示意图；
[0024]图6为本技术电磁屏蔽材料再一实施例的剖视结构示意图。
[0025]附图标号说明：
[0026][0027]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]需要说明，本技术实施例中如涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0030]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0031]另外，在本技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0032]本技术提供一种电磁屏蔽材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：双面导通的聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于6微米；双面导通的聚合物薄膜层具有供电离子通过的微孔通道，所述微孔通道的孔径为0.001微米至0.01微米，相邻微孔通道的距离范围为0.001微米至0.01微米；分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层通过聚合物薄膜层导通。2.如权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.05微米，且小于或等于1微米。3.如权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，双面导通的聚合物薄膜层由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚乙烯以及聚丙烯中的任意一种制成。4.如权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，形成于聚合物薄膜层两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏祥国，李林军，任诗举，
申请(专利权)人：深圳市乐工新技术有限公司，
类型：新型
国别省市：