【技术实现步骤摘要】
P型单晶硅电池
本技术专利技术涉及光伏电池
的一种P型单晶硅电池。
技术介绍
太阳能作为可再生能源具有取之不尽、用之不竭、绿色无污染等优点，太阳能电池作为一种直接将太阳能转换为电能的装置，近年来得到了大力发展。高效晶体硅太阳电池的技术发展方向是低成本、高效率、高稳定性，太阳能电池的种类繁多，具体包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、硅异质结太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、砷化镓太阳能电池、铜铟镓硒系太阳能电池、碲化镉太阳能电池、染料敏化电池、有机太阳能电池、有机无机杂化太阳能电池、钙钛矿太阳能电池等种类的太阳能池。其中，在硅异质结太阳能电池的发展历程中，通常是改善硅基底的掺杂类型、硅基底的表面形貌以及电池的具体结构等，以提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。
技术实现思路
本技术专利技术的目的在于提供一种高光电转换效率P型单晶硅电池。本技术是通过以下技术方案实现的：一一种P型单晶硅电池，包括P型单晶硅片，其特征在于：所述P型单晶硅片的表面形成纳米绒面结构，在P型单晶硅片的正面形成发射极，P型单晶硅片的背面依次设置本征非晶硅层、P型非晶硅层、透明导电层和电极，所述P型单晶硅片进行甲基化处理，P型单晶硅片的上下表面形成Si-CH3键；P型非晶硅层上沉积透明导电层，透明导电层上沉积电极；对上述技术方案做进一步的说明：所述透明导电层的厚度为300-500纳米，透明导电层的材质为AZO、ITO、FTO、石墨烯、银纳米线以及碳纳米管中的一种或多种；对上述技术方案做进一步的说明：所述电...
【技术保护点】
1.一种P型单晶硅电池，包括P型单晶硅片，其特征在于：所述P型单晶硅片的表面形成纳米绒面结构，在P型单晶硅片的正面形成发射极，P型单晶硅片的背面依次设置本征非晶硅层、P型非晶硅层、透明导电层和电极，所述P型单晶硅片进行甲基化处理，P型单晶硅片的上下表面形成Si-CH3键；P型非晶硅层上沉积透明导电层，透明导电层上沉积电极。/n
【技术特征摘要】
1.一种P型单晶硅电池，包括P型单晶硅片，其特征在于：所述P型单晶硅片的表面形成纳米绒面结构，在P型单晶硅片的正面形成发射极，P型单晶硅片的背面依次设置本征非晶硅层、P型非晶硅层、透明导电层和电极，所述P型单晶硅片进行甲基化处理，P型单晶硅片的上下表面形成Si-CH3键；P型非晶硅层上沉积透明导电层，透明导电层上沉积电极。
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【专利技术属性】
技术研发人员：葛学斌，吴守庆，冯成坤，
申请(专利权)人：上海先韦能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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