硅基光伏电池制造技术

本实用新型专利技术发明专利技术太阳能电池技术领域一种高效率硅基光伏电池。一种硅基光伏电池，其特征在于：所述硅基光伏电池从下至上包括金属铝层、导电层、N型单晶硅片、P型硅层、氮化硅钝化层和铜栅电极，所述N型单晶硅片进行双面制绒处理，在N型单晶硅片的表面形成金字塔微结构的绒面层；所述P型硅层上沉积氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层上通过刻蚀处理在P+掺杂区的对应位置形成上电极的区域开口；在P型硅层的上表面沉积铜栅电极；N型单晶硅片下表面沉积导电层，导电层为二氧化钛/黑磷烯复合层，在所述N型单晶硅片的下表面形成下电极。本实用新型专利技术具有提高光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
硅基光伏电池
本技术专利技术涉及太阳能电池
一种高效率硅基光伏电池。
技术介绍
能源是人类社会发展的坚实基础，以石油、煤炭等化石燃料为代表的不可再生能源极大地促进了世界各国的科技发展和经济增长。然而，化石燃料的过度使用带来了一系列的问题，如能源危机、环境污染、温室效应等问题，这促使人类积极探寻的、清洁的、绿色安全的、可再生的能源-太阳能，由此极大地促进了太阳能电池技术的飞速发展，特别是硅基太阳能电池的发展引起了人们的广泛关注。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高效率硅基光伏电池。本技术专利技术是通过以下技术方案实现的：一种硅基光伏电池，其特征在于：所述硅基光伏电池从下至上包括金属铝层、导电层、N型单晶硅片、P型硅层、氮化硅钝化层和铜栅电极，所述N型单晶硅片进行双面制绒处理，在N型单晶硅片的表面形成金字塔微结构的绒面层；所述P型硅层上沉积氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层上通过刻蚀处理在P+掺杂区的对应位置形成上电极的区域开口；在P型硅层的上表面沉积铜栅电极；N型单晶硅片下表面沉积导电层，导电层为二氧化钛/黑磷烯复合层，在所述N型单晶硅片的下表面形成下电极；对上述技术方案做进一步的说明：所述的绒面层中含有多个金字塔凸起结构；对上述技术方案做进一步的说明：所述下电极为金属铝层；对上述技术方案做进一步的说明：所述P型硅层的表面形成有硫化钴/氧化锆复合层；对上述技术方案做进一步的说明：所述N型单晶硅片的下表面有形成二氧化钛/黑磷烯复合层。本技术通过减少P型硅层表面的缺陷态的同时，硫化钴/氧化锆复合层的存在可以有效改善N型单晶硅太阳能电池的短路电流和填充因子，进而提高其光电转换效率有效减少漏电流，使太阳能电池的结构得到一步改进，进而提高异质结太阳能电池的光电转换效率。附图说明图1为硅基光伏电池的结构示意图。图中：金属铝层1、导电层2、N型单晶硅片3、P型硅层4、氮化硅钝化层5和铜栅电极6。具体实施方式先下面结合附图和实施例对本技术的内容做进一步的说明：如图所示为硅基光伏电池的结构示意图，从下至上包括金属铝层1、导电层2、N型单晶硅片3、P型硅层4、氮化硅钝化层5和铜栅电极6。实施例硅基光伏电池实施包括以下步骤：(1)通过碱制绒工艺在N型单晶硅片的上表面形成绒面层，绒面层中含有多个金字塔凸起结构；(2)通过热扩散工艺向N型单晶硅片的上表面中扩散硼以形成P型硼掺杂层，并进行热处理以形成P型硼掺杂层在所述N型单晶硅片的上表面形成P型硅层；(3)在所述P型硅层上沉积氮化硅钝化层，并对所述氮化硅钝化层进行刻蚀处理以在预备形成上电极的区域形成开口，以暴露所述P型硅层；(4)在所述N型单晶硅片的上表面旋涂含有含有硫化钴纳米粉末的溶液，并进行第一次退火处理，接着旋涂含有乙醇锆的溶液，并进行第二次退火处理，以在所述氮化硅钝化层的表面和侧面以及暴露的所述P型硅层的表面形成硫化钴/氧化锆复合层；(5)在所述N型单晶硅片的下表面旋涂含有二异丙氧基双乙酰丙酮钛的溶液，并进行退火处理，接着旋涂含有黑磷烯的溶液，并进行干燥处理，以形成二氧化钛/黑磷烯复合层；(6)在N型单晶硅片的上表面形成上电极，并在N型单晶硅片的下表面形成下电极。以上所述是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基光伏电池，其特征在于：所述硅基光伏电池从下至上包括金属铝层、导电层、N型单晶硅片、P型硅层、氮化硅钝化层和铜栅电极，所述N型单晶硅片进行双面制绒处理，在N型单晶硅片的表面形成金字塔微结构的绒面层；所述P型硅层上沉积氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层上通过刻蚀处理在P+掺杂区的对应位置形成上电极的区域开口；在P型硅层的上表面沉积铜栅电极；N型单晶硅片下表面沉积导电层，导电层为二氧化钛/黑磷烯复合层，在所述N型单晶硅片的下表面形成下电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基光伏电池，其特征在于：所述硅基光伏电池从下至上包括金属铝层、导电层、N型单晶硅片、P型硅层、氮化硅钝化层和铜栅电极，所述N型单晶硅片进行双面制绒处理，在N型单晶硅片的表面形成金字塔微结构的绒面层；所述P型硅层上沉积氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层上通过刻蚀处理在P+掺杂区的对应位置形成上电极的区域开口；在P型硅层的上表面沉积铜栅电极；N型单晶硅片下表面沉积导电层，导电层为二氧化钛/黑磷烯复合层，在所述N型单晶硅片的下表面形成下电极。
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【专利技术属性】
技术研发人员：葛学斌，吴守庆，冯成坤，
申请(专利权)人：上海先韦能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31