【技术实现步骤摘要】
光伏电池结构
本专利技术涉及光伏电池
一种光伏电池结构。
技术介绍
随着光伏产业的规模化和光伏技术的迅速发展,大量半导体材料的消耗和其能量吸收效率不高仍然是太阳能产业的不足。通常采用掺杂非晶硅(α-Si)薄膜作为核心功能层,代表结构为非晶/单晶异质结(HIT)电池;或掺杂多晶硅(Poly-Si)薄膜作为核心功能层,代表结构为隧穿氧化物钝化接触结构(TOPCon)电池,但α-Si或Poly-Si对光能有吸收,影响了电池的电流输出能力。
技术实现思路
本技术专利技术的目的在于针对现有技术的不足,提供一种晶硅高效光伏电池结构,能够有效提高光伏电池的电流输出能力。本技术是通过以下技术方案实现的:包括硅基体,其特征在于:所述硅基体的上表面为受光面,受光面为透明电极层;硅基体的反面自上而下依次包括本征硅薄膜、功能层、光学层和电极,所述功能层为高透光率的半导体层,由p型掺杂层、i型层和n型掺杂层三层组成p-i-n结;对上述技术方案做进一步的说明:所述功能层的厚度为5-200nm;对上述技术方案做进一步的说明:所述本征硅薄膜为非晶态或微晶态硅薄膜,本征硅薄膜的厚度为1-20nm;对上述技术方案做进一步的说明:所述光学层的厚度为50-80nm,平均折射率为1.5-2.4,透光率为不低于80%;对上述技术方案做进一步的说明:所述的透明电极层是折射率n<1的透明导电材料,透明电极层的厚度小于50nm;对上述技术方案做进一步的说明:所述光学层为绝缘层,所述电极和功能层物理接触。与现有技 ...
【技术保护点】
1.一种光伏电池结构,包括硅基体,其特征在于:所述硅基体的上表面为受光面,受光面为透明电极层;硅基体的反面自上而下依次包括本征硅薄膜、功能层、光学层和电极,所述功能层为高透光率的半导体层,由p型掺杂层、i型层和n型掺杂层三层组成p-i-n结。/n
【技术特征摘要】
1.一种光伏电池结构,包括硅基体,其特征在于:所述硅基体的上表面为受光面,受光面为透明电极层;硅基体的反面自上而下依次包括本征硅薄膜、功能层、光学层和电极,所述功能层为高透光率的半导体层,由p型掺杂层、i型层和n型掺杂层三层组成p-i-n结。
2.根据权利要求1所述的光伏电池结构,其特征在于:所述功能层的厚度为5-200nm。
3.根据权利要求1所述的光伏电池结构,其特征在于:所述本征硅薄膜为非晶态或微晶态硅薄膜,本...
【专利技术属性】
技术研发人员:葛学斌,吴守庆,冯成坤,
申请(专利权)人:上海先韦能源科技有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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