用于彩色多晶太阳能电池的基片及彩色多晶太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于彩色多晶太阳能电池的基片及彩色多晶太阳能电池。所述基片包括具有PN结的多晶硅片，和位于具有PN结的多晶硅片正面上的减反射层；具有PN结的多晶硅片表面具有绒面区，所述绒面区包括亮晶粒区和暗晶粒区，且正面分布有凹坑；亮晶粒区中凹坑的深度小于暗晶粒区中凹坑的深度，暗晶粒区中凹坑的开口直径小于亮晶粒区中凹坑的开口直径；亮晶粒区上的减反射层的厚度大于暗晶粒区上的减反射层的厚度。本实用新型专利技术提供的基片在不明显降低减反射层厚度的情况下，使该基片和太阳能电池获得了多彩的视觉效果，外观更加美观。

【技术实现步骤摘要】
用于彩色多晶太阳能电池的基片及彩色多晶太阳能电池
本技术属于太阳能电池
，具体涉及一种用于彩色多晶太阳能电池的基片及彩色多晶太阳能电池。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗且造成环境污染，太阳能作为一种替代化石烧料的可持续绿色能源得到快速发展。目前，在所有的太阳能电池中，硅太阳能电池是太阳能领域的主流，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时有着优异的电学性能和机械性能。在未来光伏技术的发展中，进一步提高硅太阳能电池的光电性能，降低太阳能电池生产成本，成为硅太阳能电池研究的重点。多晶硅太阳能电池的制备工艺分为制绒、扩散、刻蚀、正面镀膜、丝网印刷、烧结六大工序。其中，制绒的目的是在硅片正面形成凹凸不平的织构化绒面结构，增加太阳光的吸收面积，降低太阳光的反射率。正面镀膜的目的是在硅片正面沉积钝化层，起减反射和钝化作用。减反射层的厚度不同，往往会呈现出不同的颜色。在实际应用中，为了增加观赏性，彩色多晶太阳能电池也有一定的市场需求。但为了使多晶太阳能电池获得较高的光电转换效率，正面的钝化层厚度通常设置为80nm左右，在该厚度下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于彩色多晶太阳能电池的基片，其特征在于，所述基片包括具有PN结的多晶硅片，和位于所述具有PN结的多晶硅片正面上的减反射层；/n所述具有PN结的多晶硅片表面具有绒面区，所述绒面区包括亮晶粒区和暗晶粒区，且所述绒面区正面分布有凹坑；/n所述亮晶粒区中凹坑的深度小于所述暗晶粒区中凹坑的深度，所述暗晶粒区中凹坑的开口直径小于所述亮晶粒区中凹坑的开口直径；/n所述亮晶粒区上的减反射层的厚度大于所述暗晶粒区上的减反射层的厚度；/n所述亮晶粒区是晶格取向为111的晶粒构成的区域，所述暗晶粒区是晶格取向为110和100的晶粒构成的区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于彩色多晶太阳能电池的基片，其特征在于，所述基片包括具有PN结的多晶硅片，和位于所述具有PN结的多晶硅片正面上的减反射层；
所述具有PN结的多晶硅片表面具有绒面区，所述绒面区包括亮晶粒区和暗晶粒区，且所述绒面区正面分布有凹坑；
所述亮晶粒区中凹坑的深度小于所述暗晶粒区中凹坑的深度，所述暗晶粒区中凹坑的开口直径小于所述亮晶粒区中凹坑的开口直径；
所述亮晶粒区上的减反射层的厚度大于所述暗晶粒区上的减反射层的厚度；
所述亮晶粒区是晶格取向为111的晶粒构成的区域，所述暗晶粒区是晶格取向为110和100的晶粒构成的区域。


2.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述亮晶粒区中凹坑的平均深度为所述暗晶粒区中凹坑的平均深度的40-60％，所述暗晶粒区中凹坑的平均开口直径为所述亮晶粒区中凹坑的平均开口直径的40-60％。


3.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述亮晶粒区中凹坑的深度为400-1000nm，开口直径为500-600nm。


4.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述暗晶粒区中凹坑的深度为1000-...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚远洲，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，嘉兴阿特斯光伏技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32