【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】推定缺陷的发生的系统以及计算机可读介质
本公开涉及推定缺陷的发生的系统以及计算机可读介质,特别涉及对概率非常小地发生的细微的图案缺陷的发生概率进行高精度推定的系统以及计算机可读介质。
技术介绍
随着半导体器件的细微化,使用了能够使具有纳米级宽度的图案可视化的扫描电子显微镜(ScanningElectronMicroscope:SEM)的测量和检查的重要性不断增大。在非专利文献1中,说明了概率上非常小地发生的细微的图案缺陷。现有技术文献非专利文献非专利文献1:PeterDeBisschop,“StochasticeffectsinEUVlithography:random,localCDvariability,andprintingfailures,”JournalofMicro/Nanolithography,MEMS,andMOEMS,16(4),041013(2017)
技术实现思路
专利技术要解决的课题概率性的图案缺陷例如是在对庞大数量的图案进行曝光时随机发生的缺陷。 ...
【技术保护点】
1.一种非暂时性计算机可读介质,其保存能够由计算机系统执行的程序命令,该计算机系统用于执行根据由测量工具得到的测量数据来推定晶片的缺陷发生概率的由计算机执行的方法,其特征在于,/n在由计算机执行的方法中,/n取得或产生基于晶片上的多个测量点的测量数据求出的与图案的边缘存在于第一位置的概率相关的第一数据,/n取得或产生在所述边缘位于所述第一位置时,与缺陷覆盖包含与该第一位置不同的第二位置和所述第一位置的区域的概率相关的第二数据,/n基于所述第一数据与所述第二数据的乘积,预测所述缺陷的发生概率。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非暂时性计算机可读介质,其保存能够由计算机系统执行的程序命令,该计算机系统用于执行根据由测量工具得到的测量数据来推定晶片的缺陷发生概率的由计算机执行的方法,其特征在于,
在由计算机执行的方法中,
取得或产生基于晶片上的多个测量点的测量数据求出的与图案的边缘存在于第一位置的概率相关的第一数据,
取得或产生在所述边缘位于所述第一位置时,与缺陷覆盖包含与该第一位置不同的第二位置和所述第一位置的区域的概率相关的第二数据,
基于所述第一数据与所述第二数据的乘积,预测所述缺陷的发生概率。
2.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读介质,其特征在于,
所述第一数据是将所述第一位置相对于设计图案的相对边缘位置坐标设为x_edge时的根据所述多个测量点的测量数据求出的x_edge的频度分布P1(x_edge)。
3.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读介质,其特征在于,
所述第二数据是在所述边缘位于x_edge时,在该x_edge与所述第二位置x之间连续产生膜缺陷的概率函数P2(x,x_edge)。
4.根据权利要求3所述的非暂时性计算机可读介质,其特征在于,
根据由向所述晶片投影图案的曝光装置得到的光强度分布,求出每单位面积的局部的膜缺陷概率P3,针对该P3,通过求出从所述x_edge到所述x的范围的直积来导出所述概率函数P2。
5.根据权利要求3所述的非暂时性计算机可读介质,其特征在于,
求出通过向所述晶片投影图案的曝光装置向在所述晶片上形成的抗蚀剂膜投影的光的光子而产生的光电子接近所述抗蚀剂膜的所述坐标x_edge到所述坐标x之间而产生二次电子的概率,由此导出所述概率函数P2。
6.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读介质,其特征在于,
基于在与进行所述缺陷发生概率的推定的晶片不同的晶片上形成的多个图案的测量,导出所述第一数据和所述缺陷的发生概率,基于与该不同的晶片相关的第一数据和缺陷的发生分布,导出所述第二数据。
7.根据权利要求6所述的非暂时性计算机可读介质,其特征在于,
所述第一数据是将所述第一位置相对于设计图案的相对边缘位置坐标设为x_edge时的根据所述多个测量点的测量数据求出的x_edge的频度分布P1(x_edge)。
8.根据权利要求7所述的非暂时性计算机可读介质,其特征在于,
所述第二数据是在所述边缘位于x_edge时,在该x_edge与所述第二位置之间连续产生膜缺陷的概率函数P2(x,x_edge)。
9.根据权利要求6所述的非...
【专利技术属性】
技术研发人员:福田宏,
申请(专利权)人:株式会社日立高新技术,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。