半导体制造方法以及半导体制造装置制造方法及图纸

一种利用半导体制造装置(100)的半导体制造方法，包含：配置步骤，在包含氧化铝的基材(1)的一端配置发生氧化反应的阳极(2)，且在基材(1)的另一端配置发生还原反应的阴极(3)；加热步骤，在使阳极(2)与基材(1)的一端接触，且使阴极(3)与基材(1)的另一端接触的状态下，将基材(1)进行加热而使其熔融；熔融盐电解步骤，在基材(1)的至少一部分熔融的整个期间或者一部分期间，在阳极(2)与阴极(3)之间流通电流来进行熔融盐电解；以及半导体形成步骤，在熔融盐电解步骤之后将基材(1)冷却，形成p型氧化铝半导体层及n型氧化铝半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体制造方法以及半导体制造装置
本专利技术涉及一种半导体制造方法以及半导体制造装置。
技术介绍
以前，在半导体的领域，尤其是功率半导体的领域中，要求高功率化、高耐电压化、高温动作化及高频化。这些要求中，高耐电压化成为尤其重要的课题。因此，迫切期望带隙比现有的硅系半导体大的宽带隙半导体。另外，在一次电池或二次电池即半导体电池的领域中，也期待出现能够增大半导体电池的电动势及蓄电量的半导体正极材料以及半导体负极材料。此处，相对于硅(Si)的带隙为1.1eV而言，作为宽带隙半导体，例如碳化硅(SiC)的带隙为3.3eV，氮化镓(GaN)的带隙为3.4eV。近年来，正在推进开发带隙更大的宽带隙半导体。例如，作为宽带隙半导体的材料，带隙为5.5eV的金刚石(C)受到关注。但是，由于金刚石自身不是半导体，故而必须进行离子注入而形成施主能级或者受主能级。此金刚石的离子注入时需要高温高压，故而存在无法简便进行的问题。另一方面，氧化铝的带隙为8.8eV，若能够设为宽带隙半导体的材料，则有吸引力。但，迄今为止难以在氧化铝的带隙内形成施主能级本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造方法，其特征在于，包含：/n配置步骤，在包含氧化铝的基材的一端配置发生氧化反应的阳极，且在所述基材的另一端配置发生还原反应的阴极；/n加热步骤，在使所述阳极与所述基材的一端接触，且使所述阴极与所述基材的另一端接触的状态下，将所述基材进行加热而使其熔融；/n熔融盐电解步骤，在所述基材的至少一部分熔融的整个期间或者一部分期间，在所述阳极与所述阴极之间流通电流来进行熔融盐电解；以及/n半导体形成步骤，在所述熔融盐电解步骤之后将所述基材冷却，形成p型氧化铝半导体层及/或n型氧化铝半导体层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180903 JP 2018-1648701.一种半导体制造方法，其特征在于，包含：
配置步骤，在包含氧化铝的基材的一端配置发生氧化反应的阳极，且在所述基材的另一端配置发生还原反应的阴极；
加热步骤，在使所述阳极与所述基材的一端接触，且使所述阴极与所述基材的另一端接触的状态下，将所述基材进行加热而使其熔融；
熔融盐电解步骤，在所述基材的至少一部分熔融的整个期间或者一部分期间，在所述阳极与所述阴极之间流通电流来进行熔融盐电解；以及
半导体形成步骤，在所述熔融盐电解步骤之后将所述基材冷却，形成p型氧化铝半导体层及/或n型氧化铝半导体层。


2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，
在所述加热步骤中的所述基材的加热时，使用激光光，并且
所述激光光包含：钇铝石榴石激光、盘形激光、光纤激光、准分子激光、二氧化碳激光、半导体激光中的至少一种。


3.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于，
所述阳极包含铝或铝合金，并且
所述阴极包含铂、或者至少表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：有马博纪，芦泽公一，
申请(专利权)人：株式会社UACJ，
类型：发明
国别省市：日本;JP