一种肖特基二极管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种肖特基二极管的制备方法，包括：选取<110>晶向的Si衬底；在Si衬底的上表面形成Ge缓冲层；在Ge缓冲层上表面的第一区域内形成Si比例为20％的SiGe层；在SiGe层的上表面形成第一电极；在Ge缓冲层上表面的第二区域内形成第二电极。本发明专利技术将Si元素合金化引入Ge半导体中与金属W形成金半接触，可以降低SBD的开启电压，选用<110>晶向Ge，并在Ge虚衬底上制备高Ge组分Si

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管的制备方法
本专利技术属于半导体器件领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。
技术介绍
存在于2.45GHzWi-Fi频段下弱能量密度(数值<-20dBm)的射频信号为我国环境中的主要射频信号源，如何收集并应用这些能量是当前业内研究发展的一个重点方向。基于肖特基二极管(SBD)的微波无线能量收集系统是解决目前2.45GHzWi-Fi频段弱能量密度射频信号能量收集应用的首选解决方案。经研究发现，针对2.45GHz弱能量密度，如何提高整流效率是实现能量收集的关键技术。而业内已知的是，肖特基二极管作为整流电路中的核心器件，其性能直接决定了微波无线能量收集系统整流效率的上限。目前，针对2.45GHz弱能量密度，基于安捷伦公司HSMS-2850Ge半导体肖特基二极管的整流效率最高，但其在-20dBm的功率密度条件下，整流效率仍不足10％。在如此低的整流效率下，根本无法实现2.45GHz弱能量密度收集的商业应用。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种肖特基二极管的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：/n选取<110>晶向的Si衬底；/n在所述Si衬底的上表面形成Ge缓冲层；/n在所述Ge缓冲层上表面的第一区域内形成Si比例为20％的SiGe层；/n在所述SiGe层的上表面形成第一电极；/n在所述Ge缓冲层上表面的第二区域内形成第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：
选取<110>晶向的Si衬底；
在所述Si衬底的上表面形成Ge缓冲层；
在所述Ge缓冲层上表面的第一区域内形成Si比例为20％的SiGe层；
在所述SiGe层的上表面形成第一电极；
在所述Ge缓冲层上表面的第二区域内形成第二电极。


2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述Ge缓冲层由下至上包括第一Ge层和第二Ge层；
所述在所述Si衬底的上表面形成Ge缓冲层，包括：
在250-300℃温度下，在所述Si衬底上生长厚度为150-200nm的第一Ge层；
在500-600℃温度下，在所述第一Ge层上生长厚度为500-800nm的第二Ge层。


3.根据权利要求2所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述在500-600℃温度下，在所述第一Ge层上生长厚度为500-800nm的第二Ge层，包括：
利用RPCVD工艺，在500-600℃温度下，以PH3为P掺杂源，在第一Ge层上生长500-800nm，掺杂浓度为1×1019cm-3的N型第二Ge层作为第二Ge层。


4.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述Ge缓冲层上表面的第一区域内形成Si比例为20％的SiGe层，包括：
在所述Ge缓冲层上表面生长Si比例为20％的SiGe层；
对所述SiGe层注入P离子，得到离子注入后的SiGe层；
保留所述离子注入后的SiGe层的第一区域所对应部分。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：左瑜，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61