肖特基二极管制造技术

本申请案的实施例涉及肖特基二极管。一种方法包含在半导体衬底(110)中形成第一沟槽和第二沟槽(112、122)。所述方法另外包含用多晶硅(116、126)填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。所述多晶硅(116、126)与所述半导体衬底(110)相反地经掺杂。肖特基触点(142)形成于所述半导体衬底(110)上所述第一沟槽和所述第二沟槽(112、122)之间。所述方法还包含形成用于所述肖特基触点(142)的阳极电极(150)。所述阳极电极(150)耦合到所述第一沟槽和所述第二沟槽(112、122)中的多晶硅(116、126)。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管
本申请案的实施例涉及半导体技术，且更特定来说，涉及肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管是由半导体和金属的结形成的半导体二极管。金属-半导体结产生肖特基“势垒”。金属形成二极管的阳极，且半导体形成二极管的阴极。因而，正向电流(当二极管被正向加偏压时)是从金属/阳极到半导体/阴极。与半导体-半导体(p-n)结相比，肖特基势垒产生相对快速切换和低的正向电压降。肖特基势垒的正向电压降可以在例如150mV到450mV的范围内。肖特基势垒的反向恢复时间(当二极管从导电切换到不导电状态时)显著低于p-n结的情况。由于肖特基二极管的相对低的正向电压和快速切换速度，肖特基二极管通常用于例如以下的应用中：电压钳、晶体管饱和防止、防止例如电池在夜间通过太阳能面板放电的电源系统、开关电压调节器中的整流器、采样保持电路，以及其它应用。由于肖特基二极管的低正向电压，肖特基二极管还表征为与p-n结相比较高的反向泄漏电流。反向泄漏电流是当肖特基二极管被反向加偏压时流过肖特基二极管的电流。肖特基二极管的金属-半导体界面周围的电场归因于肖特基触点的锐边缘而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n在半导体衬底中形成第一沟槽；/n在所述半导体衬底中形成第二沟槽；/n用多晶硅填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，所述多晶硅与所述半导体衬底相反地经掺杂；/n在所述半导体衬底上在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间形成肖特基触点；和/n在所述肖特基触点上形成阳极电极，所述阳极电极耦合到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述多晶硅。/n

【技术特征摘要】
20190924 US 16/581,0441.一种方法，其包括：
在半导体衬底中形成第一沟槽；
在所述半导体衬底中形成第二沟槽；
用多晶硅填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，所述多晶硅与所述半导体衬底相反地经掺杂；
在所述半导体衬底上在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间形成肖特基触点；和
在所述肖特基触点上形成阳极电极，所述阳极电极耦合到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述多晶硅。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底经n掺杂且所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述多晶硅经p掺杂。


3.根据权利要求1所述的方法，其另外包括在所述第一沟槽中的所述多晶硅与所述半导体衬底之间和所述第二沟槽中的所述多晶硅与所述半导体衬底之间形成介电层。


4.根据权利要求3所述的方法，其另外包括在所述半导体衬底中在所述第一沟槽的所述介电层与所述肖特基触点之间和所述第二沟槽的所述介电层与所述肖特基触点之间形成掺杂区。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述掺杂区与所述半导体衬底相反地经掺杂。


6.根据权利要求1所述的方法，其另外包括在所述半导体衬底中在所述第一沟槽的所述多晶硅与所述肖特基触点之间和所述第二沟槽的所述多晶硅与所述肖特基触点之间形成掺杂区。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述掺杂区为所述第一沟槽和所述第二沟槽加衬。


8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半导体衬底上在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间形成肖特基触点包括在所述半导体衬底上在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间形成第一肖特基触点和第二肖特基触点。


9.根据权利要求1所述的方法，其中所述阳极电极在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间耦合到所述半导体衬底的第一表面，且所述方法另外包括形成耦合到所述半导体衬底的所述第一表面内的金属层的阴极电极。


10.一种结构，其包括：
第一沟槽，其处于半导体衬底中，所述第一沟槽包含多晶硅；
第二沟槽，其处于所述半导体衬底中，所述第二沟槽包含多晶硅，所述多晶硅与所述半导体衬底相反地经掺杂；
肖特基触点，其在所述半导体衬底上处于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；和
阳极电极，其处于所述肖特基触点上，所述阳极电极耦合到所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：马诺耶·梅赫罗特拉，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US