【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多孔质陶瓷、半导体制造装置用构件、簇射板和插塞
本专利技术涉及多孔质陶瓷和具备该多孔质陶瓷而构成的簇射板、插塞等的半导体制造装置用构件。
技术介绍
历来，在等离子体蚀刻装置等的半导体制造装置中，如专利文献1所示，进行如下操作：在载置于基板支承组件上的半导体晶元等的基板与用于导入等离子体生成用气体并向基板进行供给的簇射板(气体分配板)之间，施加高频电压而达到等离子体状态，在基板的表面成膜，或对形成于基板的表面的薄膜进行蚀刻。该基板支承组件，在其厚度方向上，具备用于供给氦等冷却用气体的贯通孔，在此贯通孔中，插入有由AlO/SiO、AlO/MgO/SiO、SiC、SiN、AlN/SiO等的多孔质陶瓷制成的插塞。另外，在专利文献2中提出有一种簇射板，其由含有氧化铝99.5重量％以上，气孔率为30～65％的陶瓷多孔质体制成。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2018－162205号公报专利文献2：日本特开2003－282462号公报
技术实现思路
本专利技术的多...
【技术保护点】
1.一种多孔质陶瓷，其中，含有锆酸钇和氧化钇，以锆酸钇和氧化钇中的至少任意一种为主成分。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181030 JP 2018-2038221.一种多孔质陶瓷，其中，含有锆酸钇和氧化钇，以锆酸钇和氧化钇中的至少任意一种为主成分。
2.根据权利要求1所述的多孔质陶瓷，其中，含有所述锆酸钇作为主成分，还含有氧化钇。
3.根据权利要求1所述的多孔质陶瓷，其中，含有所述氧化钇作为主成分，还含有锆酸钇。
4.根据权利要求1所述的多孔质陶瓷，其中，含有所述锆酸钇和所述氧化钇作为主成分。
5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的多孔质陶瓷，其中，气孔面积占有率为20～45面积％。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的多孔质陶瓷，其中，平均气孔径为1μm～6μm。
7.根据权利要求1...
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