使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法技术

本发明专利技术提供了一种使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，通过该等离子体蚀刻方法能够有效地产生具有火焰形状的图案部。使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法包括以下步骤：通过在蚀刻基板的一个表面上执行第一等离子体蚀刻，以在通过金属掩模暴露的蚀刻基板的一个表面的部分区域上形成第一图案部；以及去除金属掩模，以使蚀刻基板的该一个表面相对于法拉第笼的底表面倾斜的同时将蚀刻基板的该一个表面放置于包括在其上表面上形成的网状部的法拉第笼中；以及进行第二等离子体蚀刻以将第一图案部形成为具有火焰形状的第二图案部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法
本说明书要求于2018年11月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0137547的优先权的权益，其全部内容并入本文。本专利技术涉及一种使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。
技术介绍
用于在基板上形成具有火焰形状(blazedshape)的图案的常规方法包括：通过直接机械加工在基板的表面上形成具有特定形状的凹槽的方法；以及通过使用离子束蚀刻系统在具有形成在其上的光致抗蚀剂图案的基板上形成线性锯齿光栅的方法。然而，通过机械加工形成图案的方法具有难以形成具有精确结构的图案的问题，并且使用离子束蚀刻系统的方法具有难以在基板上的特定位置形成具有期望形状的火焰图案的问题。同时，还存在一种使用设置有具有火焰形状的图案的模具来复制图案的方法。然而，该方法的问题在于，用户难以通过使用设置有规定图案的模具控制期望的位置和形状来产生图案。因此，需要一种能够在基板上容易地形成具有火焰形状的图案部的技术。
技术实现思路
技术问题本专利技术涉及使用法拉第笼的等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，所述等离子体蚀刻方法包括以下步骤：/n在用于蚀刻的基板的一个表面上形成金属掩模，所述金属掩模包括暴露用于蚀刻的所述基板的所述一个表面的一部分的图案；/n在用于蚀刻的所述基板的所述一个表面上执行第一等离子体蚀刻，以在用于蚀刻的所述基板的所述一个表面的通过所述金属掩模已暴露的所述一部分上形成第一图案部；以及/n从用于蚀刻的所述基板的所述一个表面去除所述金属掩模，以使用于蚀刻的所述基板的所述一个表面相对于所述法拉第笼的底部倾斜的方式将用于蚀刻的所述基板的所述一个表面放置于在其顶部具有网状部的所述法拉第笼中，并进行第二等离子体蚀刻以将所述第一图案部形成为具有火焰...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181109 KR 10-2018-01375471.一种使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，所述等离子体蚀刻方法包括以下步骤：
在用于蚀刻的基板的一个表面上形成金属掩模，所述金属掩模包括暴露用于蚀刻的所述基板的所述一个表面的一部分的图案；
在用于蚀刻的所述基板的所述一个表面上执行第一等离子体蚀刻，以在用于蚀刻的所述基板的所述一个表面的通过所述金属掩模已暴露的所述一部分上形成第一图案部；以及
从用于蚀刻的所述基板的所述一个表面去除所述金属掩模，以使用于蚀刻的所述基板的所述一个表面相对于所述法拉第笼的底部倾斜的方式将用于蚀刻的所述基板的所述一个表面放置于在其顶部具有网状部的所述法拉第笼中，并进行第二等离子体蚀刻以将所述第一图案部形成为具有火焰形状的第二图案部。


2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其中，通过控制所述第一图案部的深度和执行所述第二等离子体蚀刻的时间中的至少一个，来控制所述第二图案部的形状。


3.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其中，所述第一图案部具有50nm至350nm的深度。

【专利技术属性】
技术研发人员：许殷奎，朴正岵，朴圣珉，韩尚澈，辛富建，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR