基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法，包括：调整所述镜头的黑电平的值，并获取每一个调整情况对应的拍摄图像的灰度值的变化；根据每一个调整情况对应的拍摄图像的灰度值的变化，得到并记录调整系数k

【技术实现步骤摘要】
基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法及系统
本专利技术涉及机器视觉领域，尤其涉及基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法及系统。
技术介绍
基于结构光三维扫描设备在结构光生成方式上大致分为两类：1.基于激光衍射形成图案的结构光；2.基于图像投影的结构光。基于激光衍射的结构光优点在于其对于能量的节约程度较高，形成的图案中亮点的能量集中，亮点与暗区的对比度较高，能够在环境光线相对较强的场景下使用。而且其图案所包含的信息量较大，可以使用单幅图像与参考图像进行匹配，所以扫描的帧率较高，可达到60fps以上。其缺点也非常明显，由于激光衍射形成的是密集光斑组成的图案，使用拍摄到的图像与参考图像匹配时，确定两幅图像中的同名点(来自于空间中同一实际物体的点)需要借助此点在图像上的一个小的邻域中的多个光斑来判断，这就造成了其实际的点云中，点与点之间是存在相关性的。这种相关性在目标物体表面存在深度的突变时，将会严重降低对深度估计的准确性。激光衍射结构光虽然能够在环境光相对较强的场景下使用，但当环境光达到10000lux以上时，衍射结构光也会本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法，其特征在于，包括：/n确定并调整3D扫描仪镜头的黑电平的值至低于当前环境光产生的电平值；/n确定最终的模拟增益的数值，进行三维捕捉。/n

【技术特征摘要】
1.基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法，其特征在于，包括：
确定并调整3D扫描仪镜头的黑电平的值至低于当前环境光产生的电平值；
确定最终的模拟增益的数值，进行三维捕捉。


2.根据权利要求1所述的基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法，其特征在于，上述确定所述镜头的黑电平的调整值的方法具体包括以下，
调整所述镜头的黑电平的值，并获取每一个调整情况对应的拍摄图像的灰度值的变化；
得到并记录调整系数kb，kb＝△p/△b，所述调整系数kb能够使，当所述黑电平对应的寄存器的值每增加△b，相应拍摄图像的灰度值变暗△p个灰度；
获取CMOS传感器的每个像素接收到的目标物体反射的环境光产生的电平值，根据所述调整系数kb调整黑电平值至低于当前环境光产生的电平值。


3.根据权利要求2所述的基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法，其特征在于，上述的获取CMOS传感器的每个像素接收到的目标物体反射的环境光产生的电平值，根据所述调整系数调整黑电平值至低于当前环境光产生的电平值，具体包括以下，
获取一帧只有环境光存在的图像，记为image1，在测量范围M中的所有像素中，最暗的像素的灰度值记为I0；
获取一帧投影设备存在且激光衍射设备只开启激光器、图案投影设备以最大亮度投影出一幅全亮的图片的图像，记为image2；
计算得到image2与image1的差值，记作imagediff；
将黑电平对应的寄存器的值增加△boptim＝(I0-εb)/kb，其中εb为小值。


4.根据权利要求3所述的基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法，其特征在于，上述确定最终的模拟增益的方法具体包括以下，
定义pmax为CMOS传感器中一个像素所能够取到的最大的灰...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴迪，王子豪，
申请(专利权)人：跨维广州智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44