图像传感器制造技术

一种图像传感器包括：基板；光电转换元件，其设置在基板中并且被配置为响应于入射光而产生光电荷；第一浮置扩散节点和第二浮置扩散节点，其设置在基板中，以在光电转换元件的相对两侧间隔开；第一传输栅极，其设置在基板上，以至少部分地与光电转换元件和第一浮置扩散节点交叠；以及第二传输栅极，其设置在基板上，以至少部分地与光电转换元件和第二浮置扩散节点交叠。第一传输栅极和第二传输栅极中的每一个包括至少部分地与光电转换元件交叠的第一栅极电介质层和至少部分地与第一浮置扩散节点或第二浮置扩散节点交叠的第二栅极电介质层。第一栅极电介质层的厚度大于第二栅极电介质层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
本专利文献中公开的技术和实现方式总体上涉及一种用于感测与目标对象的距离的图像传感器。
技术介绍
图像传感器是一种通过利用半导体对光做出反应(reactto)的特性来拍摄(capture)图像的半导体装置。随着计算机行业和通信行业的发展，对高性能图像感测装置(例如，智能电话、数码相机、游戏机、物联网、机器人、监控摄像头、医用微型摄像头等)的需求日益增加。图像传感器通常可以分为CCD(电荷耦合器件)图像传感器和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。与CMOS图像传感器相比，CCD图像传感器具有更小的噪声和更好的图像质量。然而，CMOS图像传感器具有更简单和更方便的驱动方案，并且因此在一些应用中可能是优选的。此外，CMOS图像传感器可以在单个芯片中集成信号处理电路，使得用于在产品中实现的CMOS图像传感器能够容易进行小型化，并具有功耗极低的额外好处。可以使用CMOS制造技术来制造CMOS图像传感器，由此获得低廉的制造成本。CMOS图像感测装置由于其适于实现在移动装置中而得到广泛使用。专利技术内容所公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：/n基板；/n光电转换元件，所述光电转换元件设置在所述基板中，并且被配置为响应于入射光而产生光电荷；/n第一浮置扩散节点和第二浮置扩散节点，所述第一浮置扩散节点和所述第二浮置扩散节点设置在所述基板中，以分别在所述光电转换元件的相对两侧与所述光电转换元件间隔开；/n第一传输栅极，所述第一传输栅极设置在所述基板上，以至少部分地与所述光电转换元件和所述第一浮置扩散节点交叠；以及/n第二传输栅极，所述第二传输栅极设置在所述基板上，以至少部分地与所述光电转换元件和所述第二浮置扩散节点交叠，/n其中，所述第一传输栅极和所述第二传输栅极中的每一个包括至少部分地与所述...

【技术特征摘要】
20191126 KR 10-2019-01531761.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
基板；
光电转换元件，所述光电转换元件设置在所述基板中，并且被配置为响应于入射光而产生光电荷；
第一浮置扩散节点和第二浮置扩散节点，所述第一浮置扩散节点和所述第二浮置扩散节点设置在所述基板中，以分别在所述光电转换元件的相对两侧与所述光电转换元件间隔开；
第一传输栅极，所述第一传输栅极设置在所述基板上，以至少部分地与所述光电转换元件和所述第一浮置扩散节点交叠；以及
第二传输栅极，所述第二传输栅极设置在所述基板上，以至少部分地与所述光电转换元件和所述第二浮置扩散节点交叠，
其中，所述第一传输栅极和所述第二传输栅极中的每一个包括至少部分地与所述光电转换元件交叠的第一栅极电介质层和至少部分地与所述第一浮置扩散节点或所述第二浮置扩散节点交叠的第二栅极电介质层，并且
其中，所述第一栅极电介质层的厚度大于所述第二栅极电介质层的厚度。


2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述光电转换元件包括沿所述基板的表面设置的钉扎层和设置在所述钉扎层下方并掺杂有n-型杂质的光电转换层。


3.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述光电转换层的宽度大于所述钉扎层的宽度。


4.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述钉扎层包括掺杂有p+型杂质的第一钉扎层和掺杂有p-型杂质的第二钉扎层，并且所述第二钉扎层设置在所述第一传输栅极或所述第二传输栅极下方。


5.根据权利要求1所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：
光电转换栅极，该光电转换栅极在所述第一传输栅极和所述第二传输栅极之间设置在与所述光电转换元件的中央部分相对应的区域。


6.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述光电转换栅极包括第一栅极电介质层和设置在所述第一栅极电介质层上方的光电转换栅电极。


7.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一传输栅极还包括设置在所述第一传输栅极的所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层上方的第一传输栅电极，并且所述第二传输栅极还包括设置在所述第二传输栅极的所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层上方的第二传输栅电极。


8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一传输栅极被配置为在第一时段期间接收对应于逻辑高电平的第一传输信号，并且与所述第一传输栅极的所述第一栅极电介质层的下侧相对应的区域的电势低于与所述第一传输栅极的所述第二栅极电介质层的下侧相对应的区域的电势。


9.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第二传输栅极被配置为在所述第一时段期间接收与逻辑低电平对应的第二传输信号，并且与所述第二传输栅极的所述第一栅极电介质层的下侧相对应的区域的电势低于与所述第二传输栅极的所述第二栅极电介质层的下侧相对应的区域的电势。


10.根据权利要求9所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括设置在所述第一传输栅极和所述第二传输栅极之间的光电转换栅极，并且该光电转换栅极被配置为在所述第一时段期间接收与所述第一传输信号的电压和所述第二传输信号的电压之间的中间电压相对应的信号。


11.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二传输栅极被配置为在第二时段期间接收对应于逻辑高电平的第二传输信号，并且与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：张在亨，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR