芯片结构、封装结构及其制作方法技术

技术编号:28628791 阅读:12 留言:0更新日期:2021-05-28 16:25
本发明专利技术涉及一种芯片结构、封装结构及其制作方法。其中,芯片结构包括基底,基底上表面设有多个焊盘,其中,至少两个焊盘属性相同;导电互连层,包括若干导电互连结构,导电互连结构将属性相同的焊盘电连接,且用于与封装基板上的引脚电连接。本申请可以有效降低芯片封装时的引线角度。

【技术实现步骤摘要】
芯片结构、封装结构及其制作方法
本申请涉及半导体
,特别是涉及一种芯片结构、封装结构及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展,芯片上的焊盘间距越来越小。在芯片封装时,其上的焊盘要与封装基板上的引脚通过引线连接。然而,在芯片的焊盘越来越多,且焊盘间距越来越小时,连接焊盘与引脚的引线的引线角度会增加,甚至可能超过引线工艺能力。
技术实现思路
基于此,有必要针对现有技术中的引线角度增加的问题提供一种芯片结构、封装结构及其制作方法。为了实现上述目的,一方面,本专利技术提供了一种芯片结构,包括:基底,所述基底上表面设有多个焊盘,其中,至少两个所述焊盘属性相同;导电互连层,包括若干导电互连结构,所述导电互连结构将属性相同的所述焊盘电连接,且用于与封装基板上的引脚电连接。上述芯片结构,通过导电互连结构将基底上的同属性的焊盘串联起来,芯片封装时,引线可以连接在导电互连结构上。因此,本申请可以使引线工艺空间变大,从而可以有效降低芯片封装时的引线角度。在其中一个实施例中,所述芯片结构还包括第一绝缘层,所述第一绝缘层内具有暴露所述焊盘的第一开口,且所述第一绝缘层覆盖于所述第一开口外围的所述基底上表面,所述导电互连结构经由所述第一开口将属性相同的所述焊盘电连接。在其中一个实施例中,所述芯片结构还包括第二绝缘层,所述第二绝缘层内具有暴露所述焊盘的第二开口,且所述第二绝缘层覆盖于所述第二开口外围的所述第一绝缘层的表面,所述导电互连结构经由所述第二开口将属性相同的所述焊盘电连接。在其中一个实施例中,所述第二开口在所述基底上的正投影位于所述第一开口在所述基底上的正投影内部。在其中一个实施例中,所述导电互连结构包括相互连接的连接区和第一引线区,所述连接区将属性相同的所述焊盘电连接,所述第一引线区用于与所述引脚电连接。一种封装结构,包括:封装基板,所述封装基板上设有多个引脚;如上所述的芯片结构;引线,一端与所述引脚电连接,另一端与所述导电互连结构电连接。在其中一个实施例中,所述封装基板内开设有窗口,且所述引脚形成于所述封装基板的一侧,所述芯片结构贴置于所述封装基板的背离所述引脚的另一侧,且所述引线穿过所述窗口电连接所述引脚与所述导电互连结构。在其中一个实施例中,所述引线经由第一焊点与所述引脚电连接,并经由第二焊点与所述导电互连结构电连接;所述第一焊点与所述第二焊点之间连线的水平夹角小于35°。在其中一个实施例中,所述导电互连结构包括第二引线区,第二焊点位于所述第二引线区,在同一投影平面上,所述第二引线区的正投影与与其对应的引脚的正投影至少部分重合。在其中一个实施例中,在同一投影平面上,所述第二引线区的正投影位于与其对应的引脚的正投影内部。一种芯片结构的制作方法,包括:提供基底,所述基底上表面设有多个焊盘,其中,至少两个所述焊盘属性相同;于所述基底上方形成导电互连层,所述导电互连层包括若干导电互连结构,所述导电互连结构将属性相同的所述焊盘电连接。在其中一个实施例中,所述于所述基底上方形成导电互连层之前还包括:于所述焊盘以及所述基底未被所述焊盘覆盖的上表面形成第一绝缘材料层;对所述第一绝缘材料层进行图形化,以形成具有第一开口的第一绝缘层,所述第一开口暴露所述焊盘;所述导电互连结构经由所述第一开口将属性相同的所述焊盘电连接。在其中一个实施例中,所述于所述基底上方形成导电互连层之前还包括:于所述第一绝缘层的表面及所述第一开口内形成第二绝缘材料层;图形化所述第二绝缘材料层,以形成具有第二开口的第二绝缘层,所述第二开口暴露所述焊盘;所述导电互连结构经由所述第二开口将属性相同的所述焊盘电连接。在其中一个实施例中,所述第二开口在所述基底上的正投影位于所述第一开口在所述基底上的正投影内部。一种封装结构的制作方法,包括:提供封装基板,所述封装基板上设有多个引脚;提供如上所述的芯片结构;将所述芯片结构贴置于所述封装基板上;提供引线,并将所述引线一端与所述引脚电连接,另一端与所述导电互连结构电连接。在其中一个实施例中,所述封装基板内开设有窗口,且所述引脚形成于所述封装基板的一侧,所述芯片结构贴置于所述封装基板的背离所述引脚的另一侧,且所述引线穿过所述窗口电连接所述引脚与所述导电互连结构。在其中一个实施例中,所述引线经由第一焊点与所述引脚电连接,并经由第二焊点与所述导电互连结构电连接;所述第一焊点与所述第二焊点之间连线的水平夹角小于35°。在其中一个实施例中,所述导电互连结构包括第二引线区,第二焊点位于所述第二引线区,在同一投影平面上,所述第二引线区的正投影与与其对应的引脚的正投影至少部分重合。在其中一个实施例中,在同一投影平面上,所述第二引线区的正投影位于与其对应的引脚的正投影内部。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为一实施例中芯片结构的俯视结构示意图;图2为一实施例中封装结构的俯视结构示意图;图3a为传统技术中的引线角度示意图;图3b为一实施例中的引线角度示意图;图4为一实施例中芯片结构的剖面结构示意图;图5为另一实施例中芯片结构的剖面结构示意图;图6为一实施例中导电互连结构的俯视结构示意图;图7为又一实施例中芯片结构的剖面结构示意图;图8为一实施例中封装结构的剖面结构示意图;图9为一实施例中芯片结构的制作方法的流程图;图10a-图10k为一实施例中芯片结构的制作过程中所得结构的剖面结构示意图;图11为一实施例中封装结构的制作方法的流程图。具体实施方式为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。应当明白,当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时,其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时,则不存在居间的元件或层。应当明白,尽管可使用术语本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种芯片结构,其特征在于,包括:/n基底,所述基底上表面设有多个焊盘,其中,至少两个所述焊盘属性相同;/n导电互连层,包括若干导电互连结构,所述导电互连结构将属性相同的所述焊盘电连接,且用于与封装基板上的引脚电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片结构,其特征在于,包括:
基底,所述基底上表面设有多个焊盘,其中,至少两个所述焊盘属性相同;
导电互连层,包括若干导电互连结构,所述导电互连结构将属性相同的所述焊盘电连接,且用于与封装基板上的引脚电连接。


2.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述芯片结构还包括第一绝缘层,所述第一绝缘层内具有暴露所述焊盘的第一开口,且所述第一绝缘层覆盖于所述第一开口外围的所述基底上表面,所述导电互连结构经由所述第一开口将属性相同的所述焊盘电连接。


3.根据权利要求2所述的芯片结构,其特征在于,所述芯片结构还包括第二绝缘层,所述第二绝缘层内具有暴露所述焊盘的第二开口,且所述第二绝缘层覆盖于所述第二开口外围的所述第一绝缘层的表面,所述导电互连结构经由所述第二开口将属性相同的所述焊盘电连接。


4.根据权利要求3所述的芯片结构,其特征在于,所述第二开口在所述基底上的正投影位于所述第一开口在所述基底上的正投影内部。


5.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述导电互连结构包括相互连接的连接区和第一引线区,所述连接区将属性相同的所述焊盘电连接,所述第一引线区用于与所述引脚电连接。


6.一种封装结构,其特征在于,包括:
封装基板,所述封装基板上设有多个引脚;
如权利要求1-5任一项所述的芯片结构;
引线,一端与所述引脚电连接,另一端与所述导电互连结构电连接。


7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述封装基板内开设有窗口,且所述引脚形成于所述封装基板的一侧,所述芯片结构贴置于所述封装基板的背离所述引脚的另一侧,且所述引线穿过所述窗口电连接所述引脚与所述导电互连结构。


8.根据权利要求6或7所述的封装结构,其特征在于,所述引线经由第一焊点与所述引脚电连接,并经由第二焊点与所述导电互连结构电连接;所述第一焊点与所述第二焊点之间连线的水平夹角小于35°。


9.根据权利要求6或7所述的封装结构,其特征在于,所述导电互连结构包括第二引线区,第二焊点位于所述第二引线区,在同一投影平面上,所述第二引线区的正投影与与其对应的引脚的正投影至少部分重合。


10.根据权利要求9所述的封装结构,其特征在于,在同一投影平面上,所述第二引线区的正投影位于与其对应的引脚的正投影内部。


11.一种芯片结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供基底,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:范增焰
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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