半导体器件和方法技术

本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；在鳍上方形成第一栅极掩模，第一栅极掩模具有第一宽度；在鳍上方形成第二栅极掩模，第二栅极掩模具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在第一栅极掩模和第二栅极掩模上方沉积第一填充层；在第一填充层上方沉积第二填充层；利用化学机械抛光(CMP)工艺对第二填充层进行平坦化，执行CMP工艺直到第一填充层被暴露为止；以及利用回蚀工艺对第二填充层的剩余部分和第一填充层进行平坦化，该回蚀工艺以相同速率蚀刻第一填充层、第二填充层、第一栅极掩模和第二栅极掩模的材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和方法
本公开涉及半导体器件和方法。
技术介绍
半导体器件被用于各种电子应用中，例如，个人计算机、手机、数码相机、和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底上方按顺序沉积绝缘或电介质层、导电层、和半导体材料层，并且使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多元件集成到给定区域中。但是，随着最小特征尺寸的减小，出现了应该解决的其他问题。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底延伸的鳍；在所述鳍上方形成第一栅极掩模，所述第一栅极掩模具有第一宽度；在所述鳍上方形成第二栅极掩模，所述第二栅极掩模具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；在所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模上方沉积第一填充层；在所述第一填充层上方沉积第二填充层；利用化学机械抛光(CMP)工艺对所述第二填充层进行平坦化，执行所述CMP工艺直到所述第一填本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n形成从衬底延伸的鳍；/n在所述鳍上方形成第一栅极掩模，所述第一栅极掩模具有第一宽度；/n在所述鳍上方形成第二栅极掩模，所述第二栅极掩模具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；/n在所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模上方沉积第一填充层；/n在所述第一填充层上方沉积第二填充层；/n利用化学机械抛光CMP工艺对所述第二填充层进行平坦化，执行所述CMP工艺直到所述第一填充层被暴露为止；以及/n利用回蚀工艺对所述第二填充层的剩余部分和所述第一填充层进行平坦化，所述回蚀工艺以相同速率蚀刻所述第一填充层、所述第二填充层、所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的材料。/...

【技术特征摘要】
20191127 US 16/697,4481.一种制造半导体器件的方法，包括：
形成从衬底延伸的鳍；
在所述鳍上方形成第一栅极掩模，所述第一栅极掩模具有第一宽度；
在所述鳍上方形成第二栅极掩模，所述第二栅极掩模具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；
在所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模上方沉积第一填充层；
在所述第一填充层上方沉积第二填充层；
利用化学机械抛光CMP工艺对所述第二填充层进行平坦化，执行所述CMP工艺直到所述第一填充层被暴露为止；以及
利用回蚀工艺对所述第二填充层的剩余部分和所述第一填充层进行平坦化，所述回蚀工艺以相同速率蚀刻所述第一填充层、所述第二填充层、所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的材料。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将第一层间电介质ILD图案化有第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口暴露所述鳍；
在所述第一ILD上方形成ILD掩模；
在所述第一开口和所述第二开口中沉积栅极电介质层；
在所述栅极电介质层上形成栅极电极层；
在所述栅极电极层上沉积栅极掩模层；以及
对所述栅极掩模层进行平坦化，以在所述第一开口中形成所述第一栅极掩模并且在所述第二开口中形成所述第二栅极掩模。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述回蚀工艺之前，所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的最上表面延伸高于所述ILD掩模的最上表面。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述回蚀工艺之后，所述第一栅极掩模、所述第二栅极掩模、所述ILD掩模和所述第一填充层的最上表面是齐平的。


5.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述回蚀工艺之前，所述ILD掩模的最上表面延伸高于所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的最上表面。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述回蚀工艺之后，所述ILD掩模和所述第一填充层的最上表面是齐平的，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许书维，沈育仁，郑皓云，吴稚伟，陈盈淙，陈盈和，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71