半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本公开实施例说明半导体结构的形成方法，包括形成虚置栅极结构于基板上；形成第一间隔物于虚置栅极结构的侧壁上，并形成第二间隔物于第一间隔物上；形成源极/漏极结构于基板上；移除第二间隔物；形成介电结构于源极/漏极结构上；将虚置栅极结构置换为金属栅极结构与金属栅极结构上的盖结构；以及形成开口于介电结构中。开口露出源极/漏极结构。方法亦包括形成虚置间隔物于开口的侧壁上；形成接点结构于开口中；以及移除虚置间隔物以形成气隙于接点结构与金属栅极结构之间。接点结构接触开口中的源极/漏极结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例关于半导体装置，更特别关于形成气体置换间隔物与修整栅极间隔物的方法。
技术介绍
随着半导体技术进展，对更高的存储容量、更快的处理系统、更高效能、与更低成本的需求增加。为达这些需求，半导体产业持续缩小半导体装置(如金属氧化物半导体场效晶体管，包含平面金属氧化物半导体场效晶体管与鳍状场效晶体管)的尺寸。尺寸缩小会增加半导体工艺的复杂度。
技术实现思路
在一些实施例中，半导体装置的形成方法包括形成虚置栅极结构于基板上；形成第一间隔物于虚置栅极结构的侧壁上，并形成第二间隔物于第一间隔物上；形成源极/漏极结构于基板上；移除第二间隔物；形成介电结构于源极/漏极结构上；将虚置栅极结构置换为金属栅极结构与金属栅极结构上的盖结构；以及形成开口于介电结构中。开口露出源极/漏极结构。方法亦包括形成虚置间隔物于开口的侧壁上；形成接点结构于开口中；以及移除虚置间隔物以形成气隙于接点结构与金属栅极结构之间。接点结构接触开口中的源极/漏极结构。在一些实施例中，半导体装置的形成方法包括：形成第一虚置栅极结构与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n形成一虚置栅极结构于一基板上；/n形成一第一间隔物于该虚置栅极结构的侧壁上，并形成一第二间隔物于该第一间隔物上；/n形成一源极/漏极结构于该基板上；/n移除该第二间隔物；/n形成一介电结构于该源极/漏极结构上；/n将该虚置栅极结构置换为一金属栅极结构与该金属栅极结构上的一盖结构；/n形成一开口于该介电结构中，其中该开口露出该源极/漏极结构；/n形成一虚置间隔物于该开口的侧壁上；/n形成一接点结构于该开口中，其中该接点结构接触该开口中的该源极/漏极结构；以及/n移除该虚置间隔物以形成一气隙于该接点结构与该金属栅极结构之间。/n

【技术特征摘要】
20191029 US 62/927,390;20200319 US 16/823,9431.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成一虚置栅极结构于一基板上；
形成一第一间隔物于该虚置栅极结构的侧壁上，并形成一第二间隔物于该第一间隔物上；
形成一源极/漏极结构于该基板上；
移除...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孟佑，郑存甫，吴忠纬，吴志强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71