半导体装置的形成方法制造方法及图纸

提供半导体装置与其形成方法。方法包括形成鳍状物，且鳍状物自基板延伸；以及沿着鳍状物的上表面与侧壁形成栅极介电层。沿着鳍状物的上表面的栅极介电层的第一厚度，大于沿着鳍状物的侧壁的栅极介电层的第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例关于半导体装置，更特别关于鳍状物的上表面与侧壁上的栅极介电层厚度不同的鳍状场效晶体管装置与其形成方法。
技术介绍
半导体装置已用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为按序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，并采用光刻图案化多种材料层，以形成电路构件与单元于其上。半导体产业持续缩小最小结构尺寸以改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，以整合更多构件至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，会产生需解决的额外问题。
技术实现思路
在一实施例中，半导体装置的形成方法包括：形成鳍状物，且鳍状物自基板延伸；以及沿着鳍状物的上表面与侧壁形成栅极介电层，其中沿着鳍状物的上表面的栅极介电层的第一厚度，大于沿着鳍状物的侧壁的栅极介电层的第二厚度，且其中形成栅极介电层的步骤包括：形成顺应性子层于鳍状物的上表面与侧壁上；以及形成非顺应性子层于顺应性子层上。另一实施例中，半导体装置的形成方法，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n形成一鳍状物，且该鳍状物自一基板延伸；以及/n沿着该鳍状物的上表面与侧壁形成一栅极介电层，其中沿着该鳍状物的上表面的该栅极介电层的第一厚度，大于沿着该鳍状物的侧壁的该栅极介电层的第二厚度，且其中形成该栅极介电层的步骤包括：/n形成一顺应性子层于该鳍状物的上表面与侧壁上；以及/n形成一非顺应性子层于该顺应性子层上。/n

【技术特征摘要】
20191029 US 62/927,330;20200911 US 17/018,0311.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成一鳍状物，且该鳍状物自一基板延伸；以及
...

【专利技术属性】
技术研发人员：林揆伦，陈彦甫，林柏廷，张家源，于雄飞，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71