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提供半导体装置与其形成方法。方法包括形成鳍状物，且鳍状物自基板延伸；以及沿着鳍状物的上表面与侧壁形成栅极介电层。沿着鳍状物的上表面的栅极介电层的第一厚度，大于沿着鳍状物的侧壁的栅极介电层的第二厚度。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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