一种烧写E*PROM的方法和装置制造方法及图纸

一种烧写Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ的装置，其特征在于：它包括单片机、Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ母片存储器、至少两个待写存储器及电子开关，该单片机通过Ｉ↑［２］Ｃ总线分别与母片存储器及电子开关连接，该单片机用以读取Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ母片存储器的数据，并通过电子开关控制而使各待写存储器依次连接到单片机上，从而将Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ母片存储器各页的数据分别写入到各待写存储器中。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及烧录仪，尤其是一种脱离电脑快速批量烧写E2PROM的方法和装置。
技术介绍
串行I2C总线技术在彩电机芯上已得到了广泛应用，它在缩短开发周期、简化电路、提高可靠性及批量生产调试等方面起着相当积极的作用；而串行非易失存储器E2PROM(俗称码片)作为I2C总线器件的重要成员之一，已被广泛应用于家用电器、仪器仪表及通讯等电子设备中，在这些电子设备的批量生产时，对存储器原始数据的烧写成为必不可少的一个环节。目前实现E2PROM数据烧写的方案是专用烧录仪，它利用电脑的串并口连接烧录装置，使用时需要安装专用软件，并预先进行类型设置和烧录位号设置，且必须按设定数量和位号放置，烧录时遇到不成功的个体E2PROM，即终止其它E2PROM烧写，使用该专用烧录仪的缺点是1、投资成本高，需要电脑和专用烧录仪；2、适时性远不如单片机高，效率不高，烧写时间长；3、人为误设置容量小的类型，专用仪器不能识别，造成数据不能完整烧写，即无预纠错功能；4、操作复杂，需要专业培训；5、由于16Kbit及以下与以上容量类型虚拟I2C软件协议有区别，部分专用仪器不能批量烧写24C32及以上类型E2PROM，兼容性差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能脱离电脑及快速批量烧写E2PROM的装置和方法。本专利技术的目的是这样实现的该一种烧写E2PROM的装置包括单片机、E2PROM母片存储器、至少两个待写存储器及电子开关，该单片机通过I2C总线分别与母片存储器及电子开关连接，该单片机用以读取E2PROM母片存储器的数据，并通过电子开关控制而使各待写存储器依次连接到单片机上，从而将E2PROM母片存储器各页的数据分别写入到各待写存储器中。该一种烧写E2PROM的方法是通过单片机控制电子开关轮流切换而使单片机依次访问各待写存储器，从而将E2PROM母片存储器的各页数据分别写入到各待写存储器上。与现有技术相比，本专利技术具有如下优点1)以单片机为主控件而实现可脱离电脑快速批量烧写E2PROM；2)通过单片机依次访问各待写存储器，而实现分时烧写，从而有效的利用了时间并提高了烧写效率；3)无需专用的烧录仪，从而节省了成本；4)可烧写24全系列E2PROM，兼容性好。附图说明图1是本专利技术一种烧写E2PROM的装置的电路原理框图。图2是本专利技术的工作流程图。图3是本专利技术的电路原理图。具体实施方式请参阅图1至图3，本专利技术一种烧写E2PROM的装置用于对24全系列E2PROM进行烧写，其选用ATMEL公司的AT89C51嵌入式单片机芯片充当装置的控制核心，芯片内固化有软件，主要完成虚拟三组I2C总线时序模拟，与E2PROM母片存储器U2及16个待写存储器E1-E16之间的数据交换(读、写、校验)，该可烧写的E2PROM母片存储器包括24C01(1Kbit)、24C02(2Kbit)、24C04(4Kbit)、24C08(8Kbit)、24C16(16Kbit)、24C32(32Kbit)、24C64(64Kbit)、24C128(128Kbit)、24C256(256Kbit)、24C512(512Kbit)及LV系列等10种容量类型。该一种烧写E2PROM的装置包括电路部分、控制部分及输入输出部分。该电源部分可以给该装置提供+5V的电压，220V市电经T1隔离变压器变压为9V交流电，经RB1桥堆整流，经C04、C05滤波后由U8(7805)稳压成直流5V，再经C06、C07滤波后给系统供电。控制部分包括单片机U1、电子开关U4-U7、装置自身用存储器U3及E2PROM母片存储器U2。单片机U1(如AT89C51)由晶振X1及电容C02、C03提供工作时钟，由电容C01、电阻R02提供开机自动复位信号，开关K1及电阻R02及R01构成手动复位电路供系统异常需复位时用；为兼容24全系列E2PROM(因一组总线上允许连接的E2PROM根据类型数量是有限制的)，这里采用3组独立的I2C总线，母片存储器U2所在I2C总线0的“SDA0”、“SCL0”端口分别接单片机U1的“P2.1”、“P2.0”端，R13、R14为I2C总线0的上拉电阻，母片存储器U2的7脚写保护通过R17接电源，以确保母片存储器U2中的数据在整个烧写校验过程中不变；I2C总线1由电子开关U4-U7轮流切换将16个待写存储器E1-E16与单片机U1的P1.7(SDA1)、P1.6(SCL1)端分别连接构成，R11、R12、R18-R49为总线上拉电阻，通过单片机U1的P1.0-P1.3四个端口控制电子开关U4-U7，使一个时刻只有一片待写存储器连接到单片机U1的I2C总线1上进行数据访问，其中数据线是连接到电子开关U4及U5上，时钟线连接到电子开关U6及U7上，该电子开关U4及U6是控制待写存储器E1-E8，电子开关U5及U7是控制待写存储器E9-E16；装置自身用存储器(U3)所在I2C总线2的“SDA2、SCL2”端分别接单片机U1的“P1.5、P2.2”端，通过装置自身用存储器U3记忆有掉电前或上次选择的待写存储器类型的代码数据，用于开机或复位后默认的待写存储器类型，避免重复设置。输入输出部分包括启动触发电路、类型选择触发电路及LED显示电路由启动开关K2、R04、R06构成装置的启动触发电路，即单片机U1的P2.7端检测到有效的低电平信号就启动操作；由K3、R05、R07构成装置的类型选择触发电路，即单片机U1的P2.6端检测到有效的低电平信号就切换待写存储器的类型；DM-162为LCD液晶屏，用于详尽显示所选待写存储器型号、出错提示、系统工作状态及烧写结果等；由R08-R09及LED1-LED3构成的LED显示电路直观指示系统当前的工作状态，分别指示“等待烧写”、“烧写OK”、“烧写有不成功的”三种状态。该一种烧写E2PROM的装置的工作进程如下装置开机后，单片机U1(AT89C51)通过I2C总线2读取装置自身用存储器U3特定单元内的数据，该数据是为上次掉电或类型选择后待写存储器类型代号值，用于掉电记忆；此后单片机U1处于循环等待“类型选择”和“启动开关”的输入触发，若有“类型选择”输入，则类型在24C01-24C512之间轮流切换，并将所选型号在LCD液晶屏(DM-162)上显示，同时将型号代码存储到装置自身用存储器U3中；当“启动开关”触发，单片机U1首先通过I2C总线0访问母片存储器U2，检查所选容量类型型号是否有误，以保证数据的正确与完整性，接着单片U1读取母片存储器U2中起始单元的1页(24C01-24C16为8字节、24C32-24C512为16字节)数据到单片机U1的RAM中，通过单片机U1控制同步打开两电子开关(U4、U6)的X0输出，此时单片机U1通过I2C总线1访问待写存储器E1，将该页数据写入E1中，由于24系列页写后E2PROM进入内部编程状态，这需要时间即页写时间，一般最大为10MS左右，这里不急于E1的下页烧写，也不用等待11MS，而是通过单片机U1关闭U4、U6的X0通道，改为X1通道，让待写存储器E2连接到I2C总线1上，并也对起始页进行写操作，依次类推分别打开端口X2-X7，而将该起始页的数据分别写到待写存储器E3-E16上(通过计算，当烧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，吴伟，杨军治，
申请(专利权)人：深圳创维RGB电子有限公司，
类型：发明
国别省市：