背照式图像传感器基板制造技术

本实用新型专利技术提供一种背照式图像传感器基板，其通过在金属材料层上形成第一氮化层，并对第一氮化层和金属材料层同时执行第一干法刻蚀工艺，以在刻蚀金属材料层的过程中轰击第一氮化层，以使第一氮化层中的氮原子或氮离子逸出。逸出的氮原子或氮离子在形成金属栅格层的过程中，与位于第二开口侧壁的金属发生反应生成氮化金属层，以保护位于第二开口侧壁的金属栅格不被侵蚀，如此一来，使得形成的金属栅格层的侧壁比较比较平滑，形貌较佳。

【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器基板
本技术涉及半导体
，特别涉及一种背照式图像传感器基板。
技术介绍
背照式(BSI)传感器的光是从衬底的背面而不是正面进入衬底的，因为减少了光反射，BSI传感器能够比前照式传感器捕捉更多的图像信号。目前，堆栈式CMOS图像传感器(Ultra-ThinStackedCMOSImageSensor，UTSCIS)通过硅穿孔(TSV:throughSiVia)将逻辑运算芯片与像素(光电二极管)阵列芯片进行三维集成，一方面在保持芯片体积的同时，提高了传感器阵列尺寸和面积，另一方面大幅度缩短功能芯片之间的金属互联，减小发热、功耗、延迟，提高了芯片性能。在堆栈式CMOS图像传感器(UTS)中，设置金属栅格，并利用金属栅格(metalgrid)的不透光特性，防止不同像素(光电二极管)之间的光的串扰，金属栅格的形貌很大程度上影响了背照式图像传感器的性能，而现有技术的金属栅格制备工艺中形成的金属栅格的侧壁形貌不佳。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种背照式图像传感器基板，以解决现有背照式(BSI)传感器中的金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器基板，其特征在于，包括衬底、依次形成在所述衬底上的金属材料层和具有多个第一开口的第一氮化层，多个所述第一开口的图案构成金属栅格图案；/n以及，所述第一氮化层用于在以所述第一氮化层为掩模执行第一干法刻蚀工艺，以刻蚀所述金属材料层形成具有多个第二开口的金属栅格层，并且还用于在执行所述第一干法刻蚀工艺时被轰击以逸出氮原子或氮离子，以与位于所述第二开口侧壁的金属材料发生反应生成金属氮化物。/n

【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器基板，其特征在于，包括衬底、依次形成在所述衬底上的金属材料层和具有多个第一开口的第一氮化层，多个所述第一开口的图案构成金属栅格图案；
以及，所述第一氮化层用于在以所述第一氮化层为掩模执行第一干法刻蚀工艺，以刻蚀所述金属材料层形成具有多个第二开口的金属栅格层，并且还用于在执行所述第一干法刻蚀工艺时被轰击以逸出氮原子或氮离子，以与位于所述第二开口侧壁的金属材料发生反应生成金属氮化物。


2.如权利要求1所述的背照式图像传感器基板，其特征在于，所述第一氮化层的材料包括氮化硅或氮氧化硅。


3.如权利要求1所述的背照式图像传感器基板，其特征在于，所述背照式图像传感器基板还包括形成在所述第一氮化层上的第一氧化层。


4.如权利要求3所述的背照式图像传感器基板，其特征在于，所述背照式图像传感器基板还包括形成在所述金属材料层上，且位于所述金属材料层和所述第一氮化层之间的第二氧化层。


5.如权利要求4所述的背照式图像传感器基板，其特征在于，所述第一氮化层的厚度为所述第一氧化层的厚度为所述第二氧化层的厚度为


6.如权利要求1所述的背照式图像传感器基板，其特征在于，所述背照式...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢岩，胡胜，邹浩，刘选军，刘天建，叶国梁，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42