【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理室表面移除金属污染物相关申请的交叉引用本公开内容要求于2018年10月5日申请的美国临时专利申请No.62/741,754的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
本公开涉及衬底处理系统，更具体而言，涉及从处理室表面移除金属污染物的系统和方法。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。衬底处理系统可用于进行蚀刻、沉积、和/或衬底(如半导体晶片)的其他处理。在处理期间，将衬底放置在处理室中的衬底支撑件上。通过气体输送系统将一或更多种气体导入至处理室中。可在处理期间点燃等离子体以促进处理室内的化学反应。也可将RF偏置施加至衬底支撑件以控制离子能量。例如，可以利用感应耦合式等离子体(ICP)以进行蚀刻，该感应耦合式等离子体(ICP)是通过设置于处理室之外的与介电窗邻接的感应线圈而产生的。将在处理室内流动...
【技术保护点】
1.一种用于清洁衬底处理室的表面的方法，其包含：/na)供应第一气体，所述第一气体选自由下列各项所组成的群组：四氯化硅(SiCl
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181005 US 62/741,7541.一种用于清洁衬底处理室的表面的方法，其包含：
a)供应第一气体，所述第一气体选自由下列各项所组成的群组：四氯化硅(SiCl4)、四氯化碳(CCl4)、碳氢化合物(CxHy，其中x与y为整数)和分子氯(Cl2)、三氯化硼(BCl3)、以及亚硫酰氯(SOCl2)；
b)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；
c)将所述等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空；
d)供应包含氟物质的第二气体；
e)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；以及
f)将该等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空。
2.根据权利要求1所述的方法，其还包含：
使a)至c)以及d)至f)重复进行N次，其中N为大于零的整数。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二气体选自由下列各项所组成的群组：三氟化氮(NF3)、六氟化硫(SF6)以及四氟化碳(CF4)。
4.根据权利要求2所述的方法，其中a)至g)是在没有衬底位于所述衬底处理室中的衬底支撑件上的情况下进行的。
5.根据权利要求2所述的方法，其还包含在g)之后使用材料对所述衬底处理室的所述表面进行预涂覆，其中所述材料选自由硅(Si)和氧化硅(SiOx)所组成的群组。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述N次的每一次期间，a)至c)是在d)至f)之后进行的。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述N次的每一次期间，步骤a)至c)是在d)至f)之前进行的。
8.根据权利要求2所述的方法，其还包含：
在进行a)至g)之前：
使用材料对所述衬底处理室的所述表面进行预涂覆，该材料选自由硅(Si)和氧化硅(SiOx)所组成的群组；并且
进行衬底处理；以及
在g)之后：
使用材料对所述衬底处理室的所述表面进行预涂覆，该材料选自由硅(Si)和氧化硅(SiOx)所组成的群组；并且
进行衬底处理。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述衬底处理包含蚀刻。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述衬底包含锡(Sn)，且其中在g)之后Sn污染少于le10/cm2。
11.根据权利要求1所述的方法，其还包含：
将在b)期间的所述衬底处理室中的第一压强控制在第一压强范围内；以及
将e)期间的所述衬底处理室中的第二压强控制在第二压强范围内，其中所述第一压强范围小于所述第二压强范围。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一压强范围为1至30mT，且其中所述第二压强范围为30至150mT。
13.一种用于处理衬底的衬底处理系统，其包含：
衬底处理室，其包含室壁和衬底支撑件；
气体输送系统，其用于选择性地输送气体至所述衬底处理室；
等离子体产生...
【专利技术属性】
技术研发人员：游正义，萨曼莎·西亚姆华·坦，徐相俊，袁格，西瓦·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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