废气的等离子体除害方法及废气的等离子体除害装置制造方法及图纸

提供被投入到热分解塔的废气的全量必定通过由等离子体射流形成的高温区域并被可靠地分解的等离子体除害方法。在使多个等离子体射流(P)朝向点(Q)集中的方法中，从朝向废气(H)的反应空间(D)设置的多个等离子体射流炬(2a、2b、(2c))朝向上述反应空间(D)内的某个点(Q)产生各自的等离子体射流(P)，从上述多个等离子体射流炬(2a、2b、(2c))之间向上述点(Q)供给废气(H)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】废气的等离子体除害方法及废气的等离子体除害装置
本专利技术涉及从半导体制造工艺排出的废气的热分解工序中的等离子体除害方法及等离子体除害装置的改良。
技术介绍
在半导体、液晶等电子器件的制造工艺中使用各种化合物的气体，例如，如CF4和C2F6那样的全氟化碳、NF3那样的不含碳的氟化合物等全氟化合物(以下，称为“PFC”)被用作CVD腔室的清洁气体。需要说明的是，在本说明书中，将含有全氟化合物的废气称为全氟化合物废气或PFC废气。其中，以CF4或C2F6为代表的全氟化碳为不燃性，且化合物本身稳定，因此在排放到大气中的情况下，长期无变化地滞留。对于大气中的消耗为止的寿命，在CF4的情况下为50000年，在C2F6的情况下为10000年，另外，对于全球变暖潜能值(以CO2为1的比较值)，CF4为4400、C2F6为6200(经过20年的时间点)，存在无法在地球环境上放置的所谓温室效应问题，期望确立对包含以CF4、C2F6为代表的全氟化碳的PFC进行除害的方法。但是，由于PFC中特别是全氟化碳的C-F键稳定(键合能高达130kcal/mo本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种废气的等离子体除害方法，其特征在于，/n从朝向废气的反应空间设置的多个等离子体射流炬朝向所述反应空间内的某个点产生各自的等离子体射流，/n从所述多个等离子体射流炬之间朝向所述点供给废气。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181214 JP 2018-2346231.一种废气的等离子体除害方法，其特征在于，
从朝向废气的反应空间设置的多个等离子体射流炬朝向所述反应空间内的某个点产生各自的等离子体射流，
从所述多个等离子体射流炬之间朝向所述点供给废气。


2.一种废气的等离子体除害方法，其特征在于，
以从朝向废气的反应空间设置的多个等离子体射流炬朝向所述反应空间内的某个点的周围的多个点相互保持扭转的位置关系的方式产生各自的等离子体射流，
从所述多个等离子体射流炬之间朝向形成在所述多个点之间的高温区域供给废气。


3.一种废气的等离子体除害装置，其特征在于，
所述废气的等离子体除害装置由塔本体、多个等离子体射流炬和废气供给部构成，
所述塔本体在内部具有废气的反应空间；
所述多个等离子体射流炬设置在所述塔本体的顶棚部；
所述废气供给部在所述多个等离子体射流炬之间设置于所述塔本体的顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：池奥哲也，
申请(专利权)人：北京康肯环保设备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11