磁阻随机存取存储器件和嵌入式装置制造方法及图纸

提供了一种磁阻随机存取存储器件和一种嵌入式装置。所述磁阻随机存取存储器件包括：第一绝缘中间层，位于衬底上；下电极接触，穿过所述第一绝缘中间层；第一结构，分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；第二绝缘中间层，位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；第三绝缘中间层，直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和位线，穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触所述第一结构中的一个第一结构的所述上电极。

【技术实现步骤摘要】
磁阻随机存取存储器件和嵌入式装置相关申请的交叉引用于2019年11月20日在韩国知识产权局提交的、标题为：“MagnetoresistiveRandomAccessMemoryDeviceandEmbeddedDevice(磁阻随机存取存储装置和嵌入式装置)”的韩国专利申请No.10-2019-0149919通过引用整体并入本文。
实施例涉及磁阻随机存取存储(MRAM)器件和嵌入式装置。
技术介绍
MRAM器件可以包括堆叠结构，该堆叠结构包括MTJ结构、上电极以及电连接到上电极的位线。
技术实现思路
可以通过提供一种磁阻随机存取存储器件来实现实施例，所述磁阻随机存取存储器件包括：第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层位于衬底上；下电极接触，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层；第一结构，所述第一结构分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；第三绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁阻随机存取存储器件，所述磁阻随机存取存储器件包括：/n第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层位于衬底上；/n下电极接触，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层；/n第一结构，所述第一结构分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极；/n第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；/n第三绝缘中间层，所述第三绝缘中间层直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和/n位线，所述位线穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触...

【技术特征摘要】
20191120 KR 10-2019-01499191.一种磁阻随机存取存储器件，所述磁阻随机存取存储器件包括：
第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层位于衬底上；
下电极接触，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层；
第一结构，所述第一结构分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极；
第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；
第三绝缘中间层，所述第三绝缘中间层直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和
位线，所述位线穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触每个所述第一结构的所述上电极。


2.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述第一绝缘中间层的位于所述第一结构之间的上表面包括凹槽，与所述第一结构的下表面在竖直方向上距离所述衬底相比，所述凹槽的最低点在所述竖直方向上更靠近所述衬底。


3.根据权利要求2所述的磁阻随机存取存储器件，其中，在所述竖直方向上从所述第一结构的所述下表面到所述第二绝缘中间层的上表面的高度大于在所述竖直方向上从所述第一绝缘中间层的所述凹槽的所述最低点到所述第一结构的所述下表面的高度的两倍。


4.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中：
所述第二绝缘中间层包括通过第一沉积工艺形成的氧化物，并且
所述第三绝缘中间层包括通过不同于所述第一沉积工艺的第二沉积工艺形成的氧化物。


5.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述第二绝缘中间层包括通过高密度等离子体-化学气相沉积工艺形成的氧化硅。


6.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述第三绝缘中间层包括氧化硅、氟化的氧化硅或碳掺杂氧化物。


7.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述第三绝缘中间层在竖直方向上的高度大于所述第二绝缘中间层的位于所述第一结构的顶表面与所述第三绝缘中间层之间的部分在所述竖直方向上的高度。


8.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，所述磁阻随机存取存储器件还包括覆盖层，所述覆盖层覆盖所述第一绝缘中间层的上表面和所述第一结构的表面。


9.根据权利要求8所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述覆盖层包括氮化硅或氮氧化硅。


10.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述位线包括金属。


11.一种磁阻随机存取存储器件，所述磁阻随机存取存储器件包括：
下绝缘中间层和下布线，所述下绝缘中间层和所述下布线位于衬底上；
第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层位于所述下绝缘中间层和所述下布线上；
下电极接触，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层；
第一结构，所述第一结构分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极；
覆盖层，所述覆盖层覆盖所述第一绝缘中间层的上表面和所述第一结构的表面；
第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层位于所述覆盖层上，所述第二绝缘中间层包括氧化物并填充所述第一结构之间的空间；
第三绝缘中间层，所述第三绝缘中间...

【专利技术属性】
技术研发人员：金禹珍，金容才，李吉镐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR