【技术实现步骤摘要】
发光二极管装置
本揭示是关于一种发光二极管装置。
技术介绍
在发光二极管的设计上，一般而言，增加接触电极的面积能减小操作电流密度，进而降低电流热效应，使得发光二极管的可靠度获得提升。然而，增加接触电极的面积可能使发光二极管的亮度下降。
技术实现思路
有鉴于此，本揭示的一目的在于提出一种能兼顾可靠度以及亮度的发光二极管装置。为达成上述目的，依据本揭示的一些实施方式，一种发光二极管装置包含第一半导体层、主动层、第二半导体层以及第一接触电极层。第一半导体层具有第一部分与第二部分，主动层覆盖第一半导体层的第一部分且不覆盖第二部分，第二半导体层设置于主动层上。第一接触电极层电性连接第一半导体层，并包含多个导电部。导电部位于第一半导体层远离主动层的一侧，并包含至少一外围导电部，外围导电部设置于第一半导体层的第二部分之下。于本揭示的一或多个实施方式中，发光二极管装置还包含第二接触电极层，第二接触电极层电性连接该第二半导体层，并包含接垫。导电部包含第一导电部以及第二导电部，第一导电部与接垫于第一接触电极层...
【技术保护点】
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：/n一第一半导体层，具有一第一部分与一第二部分；/n一主动层，覆盖该第一半导体层的该第一部分且不覆盖该第二部分；/n一第二半导体层，设置于该主动层上；以及/n一第一接触电极层，电性连接该第一半导体层，并包含多个导电部，所述多个导电部位于该第一半导体层远离该主动层的一侧，并包含至少一外围导电部，其中该至少一外围导电部设置于该第一半导体层的该第二部分之下。/n
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：
一第一半导体层，具有一第一部分与一第二部分；
一主动层，覆盖该第一半导体层的该第一部分且不覆盖该第二部分；
一第二半导体层，设置于该主动层上；以及
一第一接触电极层，电性连接该第一半导体层，并包含多个导电部，所述多个导电部位于该第一半导体层远离该主动层的一侧，并包含至少一外围导电部，其中该至少一外围导电部设置于该第一半导体层的该第二部分之下。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包含：
一第二接触电极层，电性连接该第二半导体层，并包含一接垫，其中所述多个导电部包含一第一导电部以及一第二导电部，该第一导电部与该接垫于该第一接触电极层上的一垂直投影之间的一距离，是小于该第二导电部与该垂直投影之间的一距离，且该第一导电部的一最大宽度小于或等于该第二导电部的一最大宽度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该第二部分为该第一部分底部外凸的一延伸部，该至少一外围导电部接触该延伸部。
4.根据权利要求3所述的发光二极管装置，其特征在于，该延伸部以及该至少一外围导电部面对该发光二极管装置的一切割走道区，该切割走道区...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢昆达，罗锦宏，吴厚润，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。