形成多个光电器件的公共电极的方法技术

本发明专利技术涉及一种形成多个光电器件的公共电极(190)的方法，该方法包括以下步骤：a)提供支撑基底(111)，在该支撑基底上放置由沟槽(170)隔开的光电器件；b)在正面、侧面和沟槽的底部上形成介电层(130)，在正面和侧面上形成的介电层的厚度分别为厚度E1和小于厚度E1的厚度E2；c)将介电层(130)蚀刻厚度E3，以露出沟槽的第一部分(170a)处的侧面；d)形成填充沟槽以及覆盖正面的金属层；e)对金属层进行机械化学抛光，抛光停止在介电层(130)的一部分上，保留在沟槽(170)中的金属形成公共电极(190)。

【技术实现步骤摘要】
形成多个光电器件的公共电极的方法
本专利技术涉及微电子学和光电子学领域。具体地，本专利技术涉及一种在置于支撑基底的主表面上的器件(更具体地，发光二极管)的侧面形成电接触部的方法。具体地，尤其是为了简化制造以及增加对具有极高纵横比的LED侧面上的电极的控制而实施本专利技术。
技术介绍
现有技术中已知的发光显示器件通常包括发光二极管(LED)组件，尤其是氮化镓基发光二极管(LED)组件。LED从正面到背面包括：N掺杂半导体层、发光层组件以及P掺杂半导体层，并通过该LED的背面将LED置于设有控制电路的支撑基底上，该控制电路旨在在LED的P掺杂半导体层处单独寻址每个LED。发光显示器件还包括与LED中的每个LED的N掺杂半导体层电接触的公共电极。该电接触通常在半导体层的侧面发生。因此，在图1A至图1G中示出了现有技术中已知的形成发光显示器件的方法。该方法具体包括如图1A所示的提供在其主表面上形成有集成控制电路110的支撑基底111的步骤。该集成电路具体包括通过介电区域114彼此隔开的金属连接柱113，该金属连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成多个光电器件的公共电极(190)的方法，所述多个光电器件中的每个光电器件包括通过侧面(151c)连接的正面(151a)和背面(151b)，所述方法包括以下步骤：/na)提供支撑基底(111)，通过所述多个光电器件的背面(151b)将由沟槽(170)隔开的所述多个光电器件置于所述支撑基底的称为主表面(111a)的表面上，所述沟槽(170)由所述光电器件的侧面(151c)和所述主表面(111a)处的底部限定；/nb)通过覆盖所述正面、所述侧面(151c)以及所述沟槽(170)的底部来形成介电层(130)，所述正面和所述侧面(151c)处的所述介电层(130)的厚度分别为厚度E1和小于厚...

【技术特征摘要】
20191121 FR 19130281.一种形成多个光电器件的公共电极(190)的方法，所述多个光电器件中的每个光电器件包括通过侧面(151c)连接的正面(151a)和背面(151b)，所述方法包括以下步骤：
a)提供支撑基底(111)，通过所述多个光电器件的背面(151b)将由沟槽(170)隔开的所述多个光电器件置于所述支撑基底的称为主表面(111a)的表面上，所述沟槽(170)由所述光电器件的侧面(151c)和所述主表面(111a)处的底部限定；
b)通过覆盖所述正面、所述侧面(151c)以及所述沟槽(170)的底部来形成介电层(130)，所述正面和所述侧面(151c)处的所述介电层(130)的厚度分别为厚度E1和小于厚度E1的厚度E2；
c)将所述介电层(130)湿蚀刻小于所述厚度E1的厚度E3，以露出所述沟槽(170)的第一部分(171a)处的侧面(151c)，并且至少部分地保留所述正面上的介电层(130)；
d)通过覆盖所述沟槽(170)以及覆盖所述正面来形成金属层(185)；
e)对所述金属层(185)进行机械化学的抛光，所述抛光停止在步骤c)结束时所保留的覆盖所述正面的所述介电层(130)的部分上，保留在所述沟槽(170)中的金属形成所述公共电极(190)；
每个沟槽从底部起包括与所述第一部分相邻的第二部分(171b)，所述第一部分(171a)和所述第二部分分别根据第一高度和第二高度进行延伸，所述第一部分(171a)通向由所述光电器件的正面形成的平面，
步骤b)之前包括步骤b0)：根据顺应性沉积技术，通过覆盖所述正面、所述侧面(151c)以及所述沟槽(170)的底部来形成钝化层(120)，步骤c)也能够去除所述第一部分(171a)处的钝化层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：马里恩·沃尔博特，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR