【技术实现步骤摘要】
有机光电装置和显示装置相关申请的引证本申请要求2019年11月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2019-0149623的优先权和权益,其全部内容通过引用结合于此。
本专利技术公开了一种有机光电装置和显示装置。
技术介绍
有机光电装置是将电能转换为光能的装置,反之亦然。有机光电装置可根据其驱动原理分类如下。一种是光电装置,其中由光能产生的激子被分离成电子和空穴,电子和空穴分别被传输到不同的电极并产生电能,另一种是通过向电极提供电压或电流从电能产生光能的发光装置。有机光电装置的实例包括有机光电装置、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机光导鼓。其中,由于对平板显示器的需求增加,最近有机发光二极管(OLED)引起了关注。有机发光二极管通过向有机发光材料施加电流将电能转换为光,并且有机发光二极管的性能可能受到设置在电极之间的有机材料的影响。
技术实现思路
一个实施方案提供了具有高效率和长寿命的有机光电装置。又一个实施方案提供了一种包括有机光电装置的显示 ...
【技术保护点】
1.一种有机光电装置,包括:/n彼此面对的阳极和阴极,/n在所述阳极和所述阴极之间的发光层,/n在所述阳极和所述发光层之间的空穴传输层,和/n在所述发光层和所述空穴传输层之间的空穴传输辅助层/n其中所述发光层包含包括由化学式1表示的第一化合物和由化学式2表示的第二化合物的组合物,并且/n所述空穴传输辅助层包含由化学式3表示的第三化合物:/n[化学式1]/n
【技术特征摘要】
20191120 KR 10-2019-01496231.一种有机光电装置,包括:
彼此面对的阳极和阴极,
在所述阳极和所述阴极之间的发光层,
在所述阳极和所述发光层之间的空穴传输层,和
在所述发光层和所述空穴传输层之间的空穴传输辅助层
其中所述发光层包含包括由化学式1表示的第一化合物和由化学式2表示的第二化合物的组合物,并且
所述空穴传输辅助层包含由化学式3表示的第三化合物:
[化学式1]
其中,在化学式1中,
L1至L5独立地为单键、取代的或未取代的C6-C20亚芳基、取代的或未取代的C2-C20杂环基、或它们的组合,
Ar1是取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C2-C30杂环基团、或它们的组合,
R1至R4独立地为氢、氘、取代的或未取代的C1-C30烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C2-C30杂环基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、卤素、氰基或它们的组合,
R1至R4独立地存在或其相邻基团彼此连接形成取代的或未取代的芳族单环或取代的或未取代的芳族多环,并且
Ar1和R1至R4中的至少一个是由化学式A表示的基团,
[化学式A]
其中,在化学式A中,
Z1至Z5独立地为N或C-La-Ra,
Z1至Z5中的至少一个是N,
其中La独立地为单键、取代的或未取代的C6至C20亚芳基、取代的或未取代的C2至C20杂环基、或它们的组合,
Ra独立地为氢、氘、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C2至C30杂环基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、卤素、氰基或它们的组合,
Ra独立存在或其相邻的基团相互连接以形成取代的或未取代的芳族单环或取代的或未取代的芳族多环、取代的或未取代的芳族杂单环或取代的或未取代的芳族杂多环,和
*是具有L1至L5的连接点;
[化学式2]
其中,在化学式2中,
Ar2和Ar3独立地为取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C2至C30杂芳基、或它们的组合,
L6和L7独立地为单键、取代的或未取代的C6-C20亚芳基、取代的或未取代的C2-C20杂环基、或它们的组合,
R5至R10独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或它们的组合,且
n为0至2的整数之一;
[化学式3]
其中,在化学式3中,
L8和L9独立地为单键、取代的或未取代的C6-C20亚芳基、取代的或未取代的C2-C20杂环基、或它们的组合,
R11至R14独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或它们的组合,
Ar4至Ar7独立地为取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C2至C30杂环基、或它们的组合。
2.根据权利要求1所述的有机光电装置,其中所述第一化合物由化学式1A至化学式1L之一表示:
其中,在化学式1A至化学式1L中,
L1至L5、Ar1和R1至R4、Z1至Z5与权利要求1所定义的相同,
Rc、Rd、Re、Rf、Rg和Rh独立地为氢、氘、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C2至C30杂环基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、卤素、氰基或它们的组合,
Z1a至Z5a独立地为N或C-La-Ra,
Z1a至Z5a中的至少一个是N,
Z1b至Z5b独立地为N或C-L...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑镐国,柳东完,柳真铉,梁容卓,李美真,赵荣庆,金亨宣,朴胜仁,郑成显,许达灏,
申请(专利权)人:三星SDI株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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